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  • 论文(2)

Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响

刘建德 , 孙友梅 , 刘杰 , 侯明东 , 张战刚 , 段敬来 , 姚会军 , 翟鹏飞

原子核物理评论

利用Geant4蒙特卡洛程序包,基于RPP(Rectangular ParallelePiped Volume)模型构建SRAM器件单元的灵敏体积,编写了重离子在器件材料中的输运程序和单粒子翻转截面计算方法,得到了简化器件结构的单粒子翻转截面σ与线性能量转移LET的关系曲线,计算得到的翻转LET阈值...

关键词: Geant4 , RPP模型 , 灵敏体积 , 单粒子翻转 , δ电子

重离子产生δ电子对SRAM单粒子翻转的影响

习凯 , 刘杰 , 张战刚 , 耿超 , 刘建德 , 古松 , 刘天奇 , 侯明东 , 孙友梅

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.081

随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻转,严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布,分析得出以下规律:入射离子单核能越高,其产生δ电子分布的径向范围越大...

关键词: 单粒子效应 , δ电子分布 , 多位翻转 , Geant4