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Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长

颜怀跃 , 修向前 , 华雪梅 , 刘战辉 , 周安 , 张荣 , 谢自力 , 韩平 , 施毅 , 郑有炓

功能材料

在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AIN为缓冲层,使用氮化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15Km的c面GaN厚膜.并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质.分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层...

关键词: 氢化物气相外延 , HVPE , Si , GaN

氢化物气相外延生长GaN膜性质研究

刘战辉 , 张李骊 , 李庆芳 , 修向前 , 张荣 , 谢自力

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.23.012

利用氢化物气相外延技术在c 面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构 GaN 膜.采用高分辨 X 射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱对GaN 外延膜进行了结构表征和光学性质研究,重点探讨了光致发光谱的温度变化特性.样品(002)面和(102)面摇摆曲线半高宽分别为322和375 arcsec,表明生长的 GaN 膜...

关键词: 氮化镓 , 氢化物气相外延 , 高分辨X射线衍射 , 拉曼光谱 , 变温光致发光谱

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