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热处理对PI基板铜薄膜金属化TiN阻挡层的影响

刘杨秋 , 梁彤祥 , 付志强 , 倪晓军 , 赵福群

稀有金属材料与工程

聚酰亚胺(PI)材料具有介电常数低,分解温度高及化学稳定性好等优点,是很有前途的电子封装材料.Cu具有低的电阻和高的抗电迁移能力,是PI基板金属化的首选材料.采用物理气相沉积(PVD)方法在PI基板上沉积Cu薄膜,利用TiN陶瓷薄膜阻挡Cu向PI基板内部扩散.研究热处理条件下TiN陶瓷薄膜阻挡层的阻挡效果、Cu膜电阻变化以及Cu膜的结合强度,俄歇谱图分析表明TiN可以有效地阻挡Cu向PI内的扩散.300℃热处理消除了Cu膜内应力,提高了Cu膜的结合强度.

关键词: 聚酰亚胺 , 铜薄膜 , TiN , 热处理

热处理对两种铜膜结合强度的影响

梁彤祥 , 刘杨秋 , 张世骥

稀有金属材料与工程

采用PVD和CVD技术制备Cu/TiN/PI试样.研究表明,TiN薄膜可以有效地阻挡Cu向PI基板内部扩散.CVD工艺制备的Cu膜内部残余应力很小,Cu膜有相对高的结合强度;而PVD制备的Cu膜,在有TiN阻挡层存在的情况下,Cu膜内存在拉应力,拉应力降低了Cu膜结合强度.300℃退火可以消除膜内残余应力,结合强度提高.

关键词: 热处理 , 基板 , 铜薄膜 , TiN

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