王学
,
潘乾刚
,
陶永顺
,
章应霖
,
曾会强
,
刘洪
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00646
在600-650℃, 100-240 MPa对用埋弧自动焊工艺制备的P92钢焊接接头进行高温蠕变实验, 采用OM, SEM和TEM等研究焊接接头的IV型蠕变断裂特性. 结果表明, P92钢焊接接头的IV型断裂发生在高温和低应力条件下, 存在一个临界Larson--Miller参数LMP和临界应力, 它们的值分别约为35.5和120 MPa; IV型断裂部位的变形很小, 位于靠近临界热影响区的细晶区, 即加热峰值温度在AC3附近, 该部位显微结构退化为铁素体等轴晶及蠕变过程中Laves相在晶界析出和长大是影响IV型断裂的主要因素, M23C6粗化的影响较小; 焊接接头IV型断裂是一种晶界孔洞聚集型蠕变断裂, 孔洞在粗大Laves相附近形核, 可用损伤晶界上孔洞面积分数f或孔洞面积分数a作为发生IV型断裂的微观判据, 它们在650℃时的临界值分别约为0.5%和1.2%.
关键词:
超超临界机组
,
P92 steel
,
creep
,
type IV cracking
,
microstucture
,
void
方玉堂
,
刘洪
材料导报
简要介绍了超声辐射原理及其应用特点;综述了合成核壳结构纳米复合材料的超声方法,包括化学沉积法、声解法、还原法、分散法、电镀法和水解法,对它们的作用原理及应用展望进行了讨论.
关键词:
超声辐射
,
核壳结构
,
纳米复合材料
刘洪
,
蒲朝辉
,
朱小红
,
肖定全
,
朱建国
功能材料
采用射频磁控溅射技术在Si(100) 基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3, PLT10]铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT10薄膜结晶性能.使用光刻工艺在Si(100) 基底的PLT10薄膜上制备了叉指电极,测试了PLT10薄膜的介电性能.在室温下,测试频率为1kHz时,PLT10薄膜的介电常数为386.而采用相同工艺条件制备的具有平行电极结构的PLT10薄膜, 其介电常数为365.但利用叉指电极测试的PLT10薄膜的介电常数和介电损耗随频率的下降比利用平行电极测试的PLT10薄膜的快些.这是因为叉指电极结构引入了更多的界面态影响的缘故.
关键词:
掺镧钛酸铅
,
铁电薄膜
,
溅射
,
电极
王学
,
潘乾刚
,
陶永顺
,
章应霖
,
曾会强
,
刘洪
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00646
在600-650℃,100-240 MPa.对用埋弧自动焊工艺制备的P92钢焊接接头进行高温蠕变实验,采用OM,SEM和TEM等研究焊接接头的Ⅳ型蠕变断裂特性.结果表明,P92钢焊接接头的Ⅳ型断裂发生在高温和低应力条件下,存在一个临界Larson-Miller参数LMP和临界应力,它们的值分别约为35.5和120 MPa; Ⅳ型断裂部位的变形很小,位于靠近临界热影响区的细晶区,即加热峰值温度在Ac3附近,该部位显微结构退化为铁素体等轴晶及蠕变过程中Laves相在晶界析出和长大是影响Ⅳ型断裂的主要因素,M23C6粗化的影响较小；焊接接头Ⅳ型断裂是一种晶界孔洞聚集型蠕变断裂,孔洞在粗大Laves相附近形核,可用损伤晶界上孔洞面积分数f或孔洞面积分数a作为发生Ⅳ型断裂的微观判据,它们在650℃时的临界值分别约为0.5％和1.2％.
关键词:
超超临界机组
,
P92钢
,
蠕变
,
Ⅳ型断裂
,
显微组织
,
孔洞
王学
,
李勇
,
任遥遥
,
刘洪伟
,
刘洪
,
王伟
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2014.00167
对P92钢进行650℃,0～5000 h时效实验,采用萃取复型和电化学萃取2种方法分离时效样品中的沉淀相,采用电感耦合等离子体发射光谱仪和EDS测定萃取物中合金元素的含量,揭示Laves相析出引起的合金元素再分布规律.利用Brinell硬度计测试P92钢时效过程中的硬度变化.根据合金元素再分布特性,建立基体溶质原子贫化损伤演化方程,采用基于物理本质的CDM模型评价其析出对P92钢蠕变寿命的影响.结果表明,时效前P92钢中约86％的W和Mo固溶于基体,剩余的14％分配在M23C6中.P92钢时效过程中由于Laves相析出发生合金元素的迁移,其析出主要夺取基体中的W和Mo原子,对时效前己析出的M23C6和MX相的成分影响很小.Laves相完全析出后,基体中W和Mo的分配量均降至50％左右.Laves相的析出还消耗基体的一部分Cr,使其分配量减少约3.6％.Laves相析出明显削弱溶质原子的固溶硬化作用,CDM计算表明,其析出使P92钢在650℃,100 MPa下的蠕变寿命缩短24％左右.
关键词:
P92钢
,
Laves相
,
合金元素
,
再分布
王学
,
于淑敏
,
任遥遥
,
刘洪
,
刘洪伟
,
胡磊
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2014.00101
对P92钢进行650℃,0～8000 h时效实验,采用SEM-BSE和定量金相技术对Laves相的体积分数、平均直径和数量密度进行定量,研究了Laves相的析出和粗化动力学特性,评估了Laves相演化对蠕变强度的影响.结果表明,Laves相在时效0～2000 h内析出,优先在晶界析出长大,最终析出时的体积分数约为0.95％.Laves相粒子在时效3000 h后明显聚集粗化,粗化速率明显快于M23C6碳化物的原因是由于晶界扩散机制的作用.Laves相在1000～3000 h内具有最佳的析出强化效果,超过3000 h后由于显著粗化使沉淀强化作用明显下降.由于体积分数小和热稳定性差,Laves相的强化作用远小于M23C6型碳化物.
关键词:
P92钢
,
Laves相
,
析出
,
粗化
,
蠕变强度
王得勇
,
刘杰
,
贾金锋
,
刘洪
,
薛其坤
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.028
近年来,光电子谱被广泛应用于薄膜中量子阱态的研究.为解释薄膜中分立的量子阱态和薄膜的光电子谱间的关系,发展了一些理论模型.介绍了近自由电子模型、相位积累模型和电子干涉模型等关于薄膜中量子阱态的理论模型,并用它们解释了量子阱态在光电子谱中峰位和线宽.线宽由准粒子寿命的倒数Г以及电子在表面和界面反射系数的和R决定,电子波矢К以及电子在表面和界面相位移之和Ф决定了峰的位置.
关键词:
光电子学
,
量子阱态
,
近自由电子模型
,
相位积累模型
,
电子干涉模型
,
光电子谱
王孝笑
,
杨琳
,
刘洪
,
陈强
,
肖定全
,
朱建国
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140034
采用低温水热法制备出3-巯基丙酸(MPA)修饰的ZnS∶Co+Cr纳米晶.利用X射线衍射仪、粒度分析仪、透射电镜、紫外-可见分光光度计、荧光分光光度计和XPS能谱仪等对ZnS∶Co+Cr纳米晶的结构、形貌、粒径分布和发光性能进行了表征.结果表明:合成的ZnS∶Co+Cr纳米晶有较好的单分散性,平均粒径为9.3 nm,均为立方闪锌矿结构;ZnS∶Co+Cr纳米晶的吸收边位于320 nm处,并在728 nm处出现Co2+的特征吸收峰;当Cr2+浓度为0.75at％,水热反应温度为160℃时,ZnS∶Co+Cr纳米晶PL峰最强;XPS能谱表明Cr2+部分被氧化成Cr3+.
关键词:
水热法
,
ZnS∶Co+Cr纳米晶
,
物相结构
,
光学性能
