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退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响

郭嘉 , 龚明 , 许小亮 , 张慰萍 , 郭海 , 王燎原 , 陈滢滢 , 刘佩尧 , 刘洪图

功能材料

用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细...

关键词: 退火 , sol-gel , SiO2薄膜 , 膜厚 , 折射率

退火对离子注入GaN产生的深能级的影响

许小亮 , 何海燕 , 刘洪图 , 施朝淑 , 葛惟昆 , Luo E Z , Sundaravel B , Wilson I H

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.04.002

我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响.表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱,由于电子陷阱俘获导带电子,导致发光猝灭.而经一定条件的退火处理,可使深的电子陷阱发生变化,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复.由于注入样品的电阻率高达1012 Ωcm, 因此...

关键词: 退火 , 离子注入 , GaN , 深能级

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