刘爱云
,
陶绪堂
,
蒋民华
,
邹德春
,
啜玉涛
功能材料
用一种简单、高效的方法合成了8-羟基喹啉铝.通过核磁共振谱和紫外光谱,证明了铝参与了配位和8-羟基喹啉铝的存在.对得到的晶体进行X-射线晶体结构分析,其主要晶胞参数为:单胞尺寸a=1.11882nm,b=1.32614nm,c=1.6701nm,β=94.011(10)°.V=2.4718nm3,Z=4,计算密度1.358mg/m3,吸收系数0.124 mm-1.在氯仿溶液中对Alq进行了单光子荧光测试,其发射峰在520nm处,对以Alq为电子传输层的器件进行性能测试,其EL最大发射峰在516nm,起始电压为3.0V,15V时的亮度为19458cd/m2.最大流明效率和最大电流效率分别为0.70lm/W和1.32cd/A.
关键词:
8-羟基喹啉铝
,
合成
,
有机电致发光
,
器件
王喜娜
,
敬承斌
,
刘爱云
,
赵修建
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.02.004
用溶胶-凝胶法制得了稳定透明的氧化铝溶胶,并采用降液法镀膜工艺制备了氧化铝薄膜.对该镀膜工艺的研究表明,薄膜厚度随液面升降速度的增加而增加,并与浸渍时间的平方根成正比.当液面升降速度为62mm/min,浸渍时间为25s时,薄膜厚度达到0.20μm.此外,薄膜厚度随着镀膜次数的增加而增加,且第1次镀膜比第2次及以后镀膜的贡献大.
关键词:
氧化铝涂层
,
降液法
,
液面升降速度
,
浸渍时间
刘爱云
,
敬承斌
,
朱坤
,
韩建军
,
赵修建
材料导报
针对CO2激光传输用空芯波导的特点,设计、制备了锥形空芯波导耦合器系统.对此耦合系统的传输性能测试表明,使用该锥形空芯波导耦合器能够显著提高空芯波导的激光传输性能.
关键词:
空芯波导
,
锥形波导耦合器
,
结构设计
,
制备
,
传输性能
朱涛
,
刘爱云
,
张建芹
,
杜华太
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2008.04.006
利用水热合成法,制备出了高比表面积锐钛矿型TiO2纳米线,并用XRD,SEM,PL,UV-Vis等手段对纳米线的物相、微观形貌、结构和性能进行表征.结果表明:产物为锐钛矿型TiO2纳米线,纳米线直径约为几十纳米,长度可达几微米以上;其紫外吸收光谱和光致发光谱相对于原料粉均呈现出蓝移现象;另外,还对TiO2纳米管的光催化性能也进行了初步探讨,研究表明TiO2纳米线具有较高比表面积,对提高其催化性能、吸收性能等方面具有积极的作用.
关键词:
纳米TiO2
,
水热处理
,
光学性能
,
光降解
刘爱云
,
张建芹
,
朱涛
,
马兴法
材料导报
综述了白色有机电致发光材料和器件的研究进展;归纳了获取白色有机电致发光的途径和方法;分析了多种器件结构的特点及其材料;结合研究过程中存在的某些问题,从器件的发光效率和色纯度角度,讨论了影响发光器件性能的诸因素及其改进措施.
关键词:
白色有机电致发光
,
材料进展
,
器件结构
刘爱云
,
张建芹
,
陶炜
,
魏化震
,
王清海
材料开发与应用
根据仿真设计和计算结果,制备了悬臂梁结构压电陶瓷复合材料,并考察了其振动发电性能.对复合材料的内外阻抗进行匹配,获得了最大的功率输出并在最佳阻抗匹配条件下,研究了振动发电性能与激励振幅和频率的关系.研究结果表明,压电复合材料的振动发电功率随着激励振幅的增大呈二阶增大,随着激励频率的增大呈线性增大.
关键词:
压电复合材料
,
振动发电
,
阻抗匹配
张建芹
,
王清海
,
刘爱云
,
陶炜
,
魏化震
,
李承荣
材料开发与应用
采用陶瓷注射成型技术制备PZT陶瓷阵列,经过脱脂、烧结、灌注环氧树脂以及后加工得到长径比为4～5的1-3连通压电复合材料,并对其压电性能和机电转换性能进行研究.结果表明,压电系数d33达到400pC/N以上,与压电陶瓷的相当;纵横耦合比kt/kp在2左右,高于PZT陶瓷的纵横耦合比.
关键词:
1-3连通压电复合材料
,
陶瓷注射成型
,
压电系数
,
纵横耦合比
张建芹
,
刘爱云
,
王清海
材料导报
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃片衬底上制备了Mg2+掺杂的ZnO(MgxZn1-xO)薄膜,研究了Mg2+掺杂对ZnO薄膜结构和紫外透过率的影响;在氧化物薄膜上真空蒸镀了Al叉指电极,制得紫外原型探测器件,测试了I-Ⅴ特性.结果表明,Mg2+掺杂后,MgxZn1-xO薄膜为纤锌矿结构,随着x值增加,晶格常数c逐渐减少,α逐渐增大,Mg2+掺杂抑制了(002)晶面的生长;紫外透过光谱表明,Mg2+掺杂后吸收边发生蓝移,可提高ZnO薄膜的禁带宽度;I-Ⅴ特性曲线表明,正向偏压下探测器的暗电流和光照电流随外加偏压呈线性增长,但光照电流与暗电流的差别较大.
关键词:
MgxZn1-Xo薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
透过率
,
禁带宽度
,
I-Ⅴ特性
