刘爱萍朱嘉琦唐为华李超荣
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2009.00538
采用过滤阴极真空电弧技术以PH3为掺杂源, 施加0-200 V基底负偏压, 制备了掺磷四面体非晶碳(ta-C∶P)薄膜. 利用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱研究ta-C∶P薄膜的微观结构,通过测定变温电导率和电流-电压曲线, 考察ta-C∶P薄膜的导电行为. 结果表明, 磷掺入增加了薄膜中sp2杂化碳原子含量和定域电子π/π*态的数量, 提高了薄膜的导电能力, 且以-80 V得到的ta-C∶P薄膜导电 性能最好. 在293-573 K范围内ta-C∶P薄膜中的载流子表现出跳跃式传导和热激活传导两种导电机制. 电流--电压实验证明ta-C∶P薄膜为n型半导体材料.
关键词:
掺磷
,
tetrahedral amorphos carbon
,
substrate bias
,
electrical conductivity
,
conduction mechanism
