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SiC缓冲层用于改善硅基氮化镓薄膜的质量研究

朱华超 , 满宝元 , 庒惠照 , 刘玫 , 薛成山

功能材料

用脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积GaN薄膜,为了减小Si衬底与GaN薄膜之间的热失配和晶格失配引入SiC缓冲层.脉冲激光沉积后的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在950℃下退火15min.得到结晶的GaN薄膜.并用X 射线衍射、原子力显微镜、傅立叶红外吸收谱、光致发光谱研究了SiC缓冲层对GaN薄膜的结晶、形貌和光学性质的影响.

关键词: 脉冲激光沉积 , 氮化镓薄膜 , 碳化硅缓冲层 , 退火

ZnO多角晶须的制备及表征

冯立兵 , 刘爱华 , 刘玫 , 马玉英 , 满宝元

功能材料

采用脉冲激光沉积技术先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,然后在石英炉中热蒸发金属锌粉的方法制备了ZnO晶须.分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光(PL)谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了表征.结果表明,采用此方法得到的ZnO多角晶须为六方纤锌矿结构, 其根部直径大约在100~500nm之间,尖部直径大约为40nm左右,长约几个微米.Zn薄膜能够有效地促使晶核的形成与长大从而促进了ZnO晶须的形成.最后, 简单讨论了ZnO 纳米晶须的生长机制.

关键词: ZnO , 晶须 , X射线衍射 , 光致发光

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