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CdS纳米微晶在PAN膜中的形成与特性

彭小雷 , 桑文斌 , 王林军 , 刘祖刚 , 史伟民 , 钱永彪 , 闵嘉华 , 刘引烽

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.001

采用离子络合法在PAN膜中制备了CdS纳米微晶. 根据红外吸收 (IR) 光谱和原子力显微镜 (AFM) 的测试结果提出了可能的形成机理, 并采用X射线衍射分析 (XRD)、紫外可见吸收光谱 (UV)、激发和发射光谱 (PL) 对其特征进行了初步表征.

关键词: PAN , 离子络合法 , CdS纳米微晶

溶胶络合转化法制备CdS纳米微晶及其特性研究

桑文斌 , 彭小雷 , 史伟民 , 刘祖刚 , 钱永彪 , 王林军 , 闵嘉华 , 刘引烽

功能材料

依据高分子链上的配位基团与金属离子间络合反应平衡原理以及溶液中双电层扩散模型,提出了用溶胶络合转化法在甲壳胺中制备CdS纳米微晶的新方法.采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射图谱(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV)及激发-发射光谱等手段研究了甲壳胺膜中CdS纳米微晶的特性,室温下的量子尺寸效应由实验得到了证实.此外分别采用Scherrer公式和AFM技术对晶粒尺寸进行了估算与测定,并对两种结果进行了比较与分析,由这种方法制备的纳米微粒尺度可由实验条件控制在2~18nm之间.

关键词: 溶胶络合转化法 , 甲壳胺 , Cd3纳米微晶 , 原子力显微镜

以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件

朱文清 , 刘祖刚 , 唐春玖 , 赵伟明 , 蒋雪茵 , 张志林 , 许少鸿

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.007

使用 PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3-PbCd1/2W1/2O3三元系电容器瓷料 , 采用流延工艺成膜 , 丝网印刷内电极 , 低温烧结的方法制备了陶瓷衬底 . 陶瓷衬底的烧结温度为 930~ 9500C. 测量了陶瓷厚膜的基本特性 , 在室温时的相对介电常数ε r大于 14000, 损耗 tanδ约为 1% , 具有极高的品质因素 ( ≥ 80μ C/cm2) . 用 SEM技术观察了陶瓷衬底的横断面和陶瓷厚膜表面形貌 , 内电极连续 , 厚膜层致密且表面起伏较小 , 可直接沉积发光层 . 制备了陶瓷厚膜为绝缘层的 ZnS:Mn低压驱动电致发光器件 , 在 50Hz正弦波驱动下 , 阈值电压仅为 41V.

关键词: 陶瓷厚膜 , 流延工艺 , 低压驱动 , 电致发光

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

唐春玖 , 朱文清 , 赵伟明 , 刘祖刚 , 蒋雪茵 , 张志林 , 许少鸿

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.01.008

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ZnS∶Er作发光层的绿色薄膜电致发光器件(CTFEL).器件结构为陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层(ZnS∶Er)/透明电极(ZnO∶Al).发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的.器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度-电压和效率-电压等特性.

关键词: 陶瓷厚膜 , 绝缘层 , 薄膜电致发光器件

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