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Ga在裸Si系的扩散模型及掺杂效应分析

刘秀喜 , 王公堂

稀有金属材料与工程

依据Ga在Si中的扩散行为、开管扩Ga系统的特征及扩Ga样品的XPS、EPMA和R<,s>的测试结果分析,提出了Ga在裸Si系的扩散模型,并从机理上分析了Ga的掺杂效应.结果表明:Ga在裸Si系下扩散,易产生合金点、腐蚀坑和"白雾"等缺陷,并造成R<,s>值不均匀.扩Ga产生的缺陷与硅片的导电类型、电阻率大小、晶向和表面光洁度无关.

关键词: Ga , 裸Si系 , 扩散模型 , 掺杂效应