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PVT法生长SiC过程生长界面形状对热应力的影响

杨明超 , 陈治明 , 封先锋 , 林生晃 , 李科 , 刘素娟 , 刘宗芳

人工晶体学报

PVT法生长SiC过程中晶体内部的热应力是其位错产生的主要原因,而生长界面的形状对晶体热应力及缺陷的产生都有一定影响.本文对不同生长界面晶体的温场及应力场进行了数值分析,结果显示相对于凸出及平整界面的晶体,微凹界面晶体的轴向温差最小,同时产生缺陷的切应力Τrz及引起开裂的径向正应力σrr值都为最小.

关键词: SiC , 数值模拟 , 缺陷 , 热应力

P(MMA-VAc-LiAA)聚合物电解质的制备及表征

刘素娟 , 傅相锴 , 牛丽丹 , 杜秋亮

功能材料

以甲基丙烯酸甲酯(MMA)、醋酸乙烯酯(VAc)和丙烯酸锂(LiAA)为单体,采用种子乳液聚合法制备了(P(MMA-VAc-LiAA)三元共聚物.利用红外光谱(FTIR),核磁共振(~1HNMR),差示扫描量热(DSC) /热重分析(TG),X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等方法对聚合物的结构进行了表征.将P(MMA-VAc-LiAA)与LiClO_4共混,采用流延法制备了聚合物电解质膜,用交流阻抗方法测试了电解质膜的电导率,结果表明,该聚合物电解质室温离子电导率可以达到10~(-3)S/cm.而且离子电导率随着温度的升高而迅速增加,电导率-温度曲线符合Arrhenius方程.机械性能测试结果表明,在P(MMA-VAc)的基础上,引入第三单体LiAA可以改善膜的收缩性与力学性能.

关键词: 甲基丙烯酸甲酯 , 醋酸乙烯酯 , 丙烯酸锂 , 固体聚合物电解质 , 离子电导率

SiC籽晶表面状态对晶体质量的影响

杨莺 , 刘素娟 , 陈治明 , 林生晃 , 李科 , 杨明超

人工晶体学报

为了研究表面状态对晶体质量的影响,本文分别采用腐蚀后抛光与未抛光的晶片作为籽晶,利用金相显微镜对所得晶体进行了显微观察,结果表明:经过腐蚀后抛光的籽晶生长出的晶体质量高于未抛光籽晶所得晶体;生长前端的位错尺寸以及数量小于未抛光籽晶,说明抛光去除了部分表面浅的缺陷腐蚀坑,同时减小深腐蚀坑的尺寸,使得籽晶生长表面的缺陷密度和尺寸大大降低,有助于减少后期生长的晶体中的缺陷密度,提高结晶质量.

关键词: SiC籽晶 , 表面状态 , 腐蚀 , 抛光 , 缺陷密度

聚离子液体型聚合物电解质的制备及表征

杜秋亮 , 傅相锴 , 刘素娟 , 牛丽丹

功能材料

以N-乙烯基咪唑、溴乙酸甲酯和二(三氟甲基磺酰亚胺)锂(LiTFSI)为原料,采用溶液聚合法制备了聚(1-乙烯基-3-乙酸甲酯基咪唑二(三氟甲基磺酰亚胺))(PMVIm-TFSI)。将其与LiTFSI和聚(甲基丙烯酸甲酯-醋酸乙烯酯)(P(MMA-VAc))共混制得了不同质量比的聚合物电解质。核磁共振(1 HNMR)、红外光谱(FT-IR)、示差扫描量热计(DSC)、热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、交流阻抗(AC impedance)等对电解质的测试结果表明,PMVIm-TFSI掺杂到P(MMA-VAc)和LiTFSI组成的电解质中后其电导率得到了极大的改善,30℃下最高可达4.71×10-4S/cm,同时热稳定性也得到了极大的提高。此外,该共混电解质(透过率≥90%)还可以运用到电致变色器件(ECD)导电离子材料中,也显示出了优良的电化学性能。

关键词: 离子液体 , 聚合物电解质 , 离子电导率 , 热稳定性 , 电致变色器件

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