张仁刚
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卓雯
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刘继琼
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王红军
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高恒
人工晶体学报
采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500 ℃硫化得到ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱(AES)和多普勒展宽谱对薄膜进行了表征.ZnO硫化转变依赖于硫化时间.当硫化时间小于18 h时,ZnO只能部分转变为ZnS.只有当硫化时间等于或大于18h时,才能完全生成六方相ZnS薄膜,沿(0 0 10)晶面择优生长,硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜光吸收边宽化、光透过率低,ZnS薄膜带隙为3.54～3.66 eV.
关键词:
ZnS薄膜
,
溅射
,
硫化
刘继琼
,
鲁晓刚
上海金属
通过建立特殊准随机结构(SQS),采用第一性原理VASP程序,用两种不同的弛豫方法分别对二元fcc Ni-X(X=Al,Au,Cu,Ga,Mo,Pt,Ta,W)无序合金的晶格常数和体弹模量随成分的变化进行了计算.这两种弛豫方法分别是离子弛豫法和体积弛豫法.最终计算结果表明,两种计算方法所得的晶格常数和体弹模量非常相近.因此在计算二元无序合金的晶格常数和体弹模量时,可以只做体积弛豫.这不仅大大简化了计算步骤,而且能够保持点阵的对称性,为计算二元合金的体积和体弹模量提供了准确高效的计算方法.
关键词:
第一性原理
,
晶格常数
,
体弹模量
,
VASP
,
SQS
,
离子弛豫
,
体积弛豫
