刘绰
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张雷
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马蕾
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彭英才
材料热处理学报
采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250～400℃条件下进行后退火处理.利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性.结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为< 111>晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 eV减小到1.496 eV;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97 μS/cm增大至87.3 μS/cm.
关键词:
真空热蒸发
,
CdTe薄膜
,
退火处理
,
结构特性
