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EBSP对磁控溅射铟的晶化组织的研究

刘豫东 , 张钢 , 朱继满 , 马莒生

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.04.007

铟广泛应用于光电器件的封装互连中.这是因为铟独特的性质能够满足光电器件,尤其是能满足红外器件封装时对互连材料的要求:低互连温度,低温工作条件下良好的机械性能.研究铟的组织和性能间的关系十分重要,但是在室温时用常规的金相方法获得铟真实的原始组织却很困难,常规的金相方法通常会获得假相.因为室温下的铟处于它的热加工区域,常规的金相制样过程会导致铟的动态回复和再结晶.用扫描电镜的 EBSP 技术直接观察按真实工艺步骤沉积的铟的原始组织,发现铟以多晶态存在,平均晶粒尺寸为 1.26 μm,并且在 9 μm×9 μm 局部范围内没有织构存在;铟的纳米硬度是 19.73 MPa.

关键词: , 磁控溅射 , EBSP

理想绝缘金属基板前处理工艺的研究

朱继满 , 刘豫东 , 马莒生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.022

采用阳极氧化工艺制备理想绝缘金属基板阳极氧化绝缘层.利用激光干涉法测量阳极氧化 膜层在热冲击过程中的开裂温度.研究了铝板表面不同前处理工艺对金属基板绝缘层热开裂温度 的影响,利用扫描电子显微镜( SEM)观察裂纹萌生的位置 ,结果表明阳极氧化前铝表面微观不平将 使阳极氧化膜中产生一种孔隙率高的界面 ,热冲击过程中这种界面上容易萌生裂纹.

关键词: 绝缘金属基板 , , 阳极氧化膜 , 抗热冲击性能

Al焊盘表面氧化膜对金丝键合的影响

陈国海 , 刘豫东 , 马莒生

稀有金属材料与工程

在半导体制造工艺中,Al焊盘表面的氧化膜会阻碍金丝键合.针对某公司新半导体工艺中出现键合失效问题的芯片,采用SEM,EDS和AES对切片前后的芯片进行了分析.结果发现,切片前后Al焊盘表面的元素成分基本一致,可以认为清洗工艺对金丝键合基本没有影响,它不是导致金丝键合失效的原因;通过AES对焊盘进行深度剖析,在深度接近Al焊盘高度的一半时,氧的含量仍然高达40%左右,如此高含量的氧已经足以将Al完全氧化,其所形成的氧化膜阻碍了金丝键合所必需的金属连接和扩散过程,从而导致键合质量差,甚至无法实现键合.

关键词: 晶圆 , Al焊盘 , 金丝键合 , 氧化膜

衬底对铟凸点织构的影响研究

刘豫东 , 崔建国 , 马莒生

稀有金属材料与工程

为研究衬底材料对所溅射的铟织构模式的影响,选用UBM(Under Bump Metallization)膜、InSb单晶和无定形PR(光刻胶)3种不同衬底材料磁控溅射铟,实验对比了3种衬底材料对铟织构的影响.实验结果表明:铟的织构模式基本不受衬底材料的影响,其织构模式主要为强(101)丝织构和弱的(110)丝织构.这证明了铟的织构形成机理是典型的生长竞争机制.

关键词: 织构 , 衬底 , 铟凸点 , 磁控溅射

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