刘金娥
,
廖燕平
,
齐小薇
,
高文涛
,
荆海
,
付国柱
,
李世伟
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.014
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的.针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试.制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入.设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8 pF.运用7PEP生产工艺,制作了13 cm(5.2 in)的TFT阵列样品.对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10 μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341 cd/m2.
关键词:
OLED
,
阈值电压漂移
,
N/Si
,
C-V
,
2-a-Si:HTFT
刘金娥
,
廖燕平
,
荆海
,
张志伟
,
付国柱
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.018
分析了a-Si:H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx:H栅绝缘层和a-Si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响.根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si:H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号.通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的.
关键词:
OLED
,
a-Si:H-TFT
,
阈值电压漂移
,
电荷注入
,
亚稳态
,
补偿方法
孔祥建
,
荆海
,
黄霞
,
廖燕平
,
刘金娥
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.017
提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法.以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈值电压值不易确定, k11的确定必定存在误差,而以前报道并未考虑到此问题.文章针对此问题给出了在强锚定条件下,预倾角不为零时C-V的关系式,并提出了通过曲线拟合来同时确定弹性常数k11、k33的方法.此方法对弹性常数的测量更为准确,液晶盒的制作要求降低,且测试简单、易操作.
关键词:
向列相液晶
,
电容-电压
,
弹性常数
,
预倾角
,
曲线拟合
赵才荣
,
刘金娥
,
丁铁夫
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.018
针对LED图文屏的行列驱动结构,提出一种简单的可实现灰度级控制方法--位平面寻址法,结合CPLD技术,在LED图文屏上实现256灰度级的双色静态图像显示.根据实验中实际碰到的系统速度不够快的问题,采用DSP+CPLD的系统结构得到了较大的改善;针对LED显示屏亮度低的问题,利用人眼的暂留作用以及位平面寻址法的显示原理,通过使LED工作在较大的电流下来解决.实验表明,此方法可以最大限度地利用原有图文屏的简单电路,可靠、价格低廉地显示多灰度LED图像.
关键词:
LED显示
,
位平面寻址
,
多灰度LED图像
