付文博
,
刘锦华
,
梁建华
,
杨本福
,
周晓松
,
程贵钧
,
王维笃
稀有金属材料与工程
使用电子束蒸发法在抛光Mo、石英和单晶硅衬底上沉积Ti薄膜,并用SPM、XRD及SEM对衬底及薄膜的表面形貌和微观结构进行了分析.结果表明:Ti膜的表面形貌和微观结构受衬底材料影响较大.抛光Mo衬底上的Ti膜表面有微小起伏,断面处发现Ti膜先在衬底形核,后以柱状颗粒的形式竖直向上生长;抛光石英衬底上的Ti膜表面平整,颗粒与界面清晰可见,在界面处有一层等轴晶;粗糙度最低的单晶硅基片上沉积的Ti膜表面反而最粗糙,通过XRD分析发现有TiSi2的峰存在.
关键词:
衬底
,
储氢薄膜
,
电子束热蒸发
,
形核
,
薄膜生长
吴清英
,
邴文增
,
龙兴贵
,
周晓松
,
刘锦华
,
罗顺忠
稀有金属材料与工程
采用电子束沉积的方法在底衬Mo (Rq≈5～8.63 nm)上制备了厚度为2～3 μm的Sc膜,再将Sc膜在Sievert真空系统中进行吸氘.结果表明:在底衬温度为623,823,1023 K时,Sc膜呈现出柱状结构,且具有(002)的择优生长；随着沉积温度从623 K增大到1023 K,Sc膜的(002)择优生长变强,晶粒尺寸也随之增大,这与前人报道的结构区域模型(SZMs)是一致的.Sc膜经吸氘变为了ScD2膜,ScD2膜为(111)择优生长,而且随着衬底温度的升高,择优生长也随着增强,这说明了(111)晶面的ScD2晶核是由吸氘前(002)晶面的钪晶核生长而来的；高底衬温度下制备的Sc膜经吸氘后所获的ScD2膜的晶粒尺寸反而更小,这可能是由D原子在低衬底温度制备的Sc膜中较强的扩散动力学造成的.另外,提出了一种新的制备底衬材料的方法,该方法能够简单、快速的获得Sc膜的断面形貌,而且对Sc膜不会造成任何污染,且经济便宜.
关键词:
Sc膜
,
氘化物
,
底衬温度
,
微观结构
,
电子束沉积
刘伟
,
张晓红
,
刘锦华
,
梁建华
,
龙兴贵
材料研究学报
用脉冲激光气相沉积法在金属钼基底上制备锆薄膜,并用SEM,AFM,XRD等手段分析薄膜表面形貌和晶体结构,研究了脉冲激光频率对薄膜表面形貌和晶体结构的影响.结果表明:随着激光脉冲频率的提高锆薄膜表面液滴数目增加,液滴尺寸增大,薄膜的沉积速率显著降低.薄膜表面的平均纳米颗粒尺寸,随着频率的提高呈现先增大后减小的规律.从XRD数据发现,较高的脉冲频率极大地促进了薄膜的结晶性生长;但是,频率变化对Zr薄膜晶体结构、晶面择优生长的影响并不明显,薄膜呈现典型的hcp结构且不随频率的变化改变.
关键词:
金属材料
,
锆薄膜
,
脉冲激光气相沉积
,
液滴
,
脉冲频率
