李想
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颜钟惠
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刘阳辉
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竺立强
材料导报
以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15 nm、30 nm和100 nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理.采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的化学成分,在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响,并分析了钝化机理.结果表明:ALD技术制备的Al2O3薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7 cm/s,表面钝化效果显著.
关键词:
太阳能电池
,
晶体硅钝化
,
原子层沉积
,
Al2O3薄膜
万相
,
刘阳辉
,
张洪亮
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13404
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了多孔SiO2薄膜,系统地研究了不同浓度磷酸处理对多孔SiO2薄膜的质子导电特性、双电层电容和以此多孔SiO2薄膜为栅介质的铟锌氧(IZO)双电层薄膜晶体管性能的影响.结果表明:多孔SiO2薄膜的质子电导率和双电层电容随磷酸浓度升高而增大,60％浓度磷酸处理后多孔SiO2薄膜质子电导率和双电层电容分别达到1.51×10-4 S/cm和6.33 μF/cm2.随磷酸浓度升高,双电层薄膜晶体管的工作电压降低,并且,电流开关比也变大.其中60％浓度磷酸处理后器件工作电压为1.2 V,迁移率为20cm2/(V·s),电流开关比为4×106.这种双电层薄膜晶体管有望应用在化学和生物传感等领域.
关键词:
双电层
,
薄膜晶体管
,
磷酸处理
,
多孔SiO2
