袁望治
,
劳令耳
,
田卫
,
刘毅
,
王大志
,
姚琨
,
王正
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.03.014
用纳米ZrO2(4Y)粉为原料,研究了单轴压片素坯成型特征.通过两次施压成型,降低了烧结致密温度,在1300℃常压烧结2小时,陶瓷体致密度达99.1%,烧结体晶粒长大减缓.片状烧结体1000℃和800℃时的电导率分别为4.23×10-2Ω-1cm-1和1.19×10-2Ω-1cm-1.
关键词:
ZrO2(4Y)
,
纳米粉
,
烧结
,
电导
袁望治
,
劳令耳
,
田卫
,
黄英才
,
王大志
,
姚琨
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.04.010
以纳米4YSZ和纳米Al2O3粉末为原料,对掺少量Al2O3的4YSZ无压烧结体的烧结特性、结构和性能进行了研究.掺适量的Al2O3可降低烧结温度,减缓4YSZ晶粒的长大.少量的交接渗透强化了晶界,烧结体断裂倾向于穿晶断裂,提高了烧结体硬度.
关键词:
4YSZ
,
纳米复合
,
氧化铝
,
烧结
,
微观结构
刘毅
,
劳令耳
,
袁望治
,
黄英才
功能材料
采用交流阻抗技术对掺纳米ZnO的纳米ZrO2(3Y)复合掺杂材料在473～973K温度范围电导率随ZnO第二相质量分数(0.0%～5.0%(质量分数))的变化关系进行了研究.研究发现掺很少量的纳米ZnO(0.5%～1.0%<质量分数)),纳米ZrO2(3Y)材料晶粒和晶界电阻显著增加,电导率降低,原因在于缺陷缔合效应和晶界偏聚效应的加剧,阻碍了氧空位的迁移.随着ZnO掺入量的增加(＞1.0%(质量分数)),晶界电阻显著减小,晶粒电阻变化不大,总电导率回升,在中低温范围,总电导活化能与晶界电导活化能具有相同的变化趋势.
关键词:
钇稳定氧化锆
,
复合掺杂
,
复阻抗
,
电导率
刘毅
,
劳令耳
,
袁望治
,
黄英才
无机材料学报
采用纳米ZrO2(8Y)粉和纳米ZnO粉为原料,对掺少量ZnO的ZrO2(8Y)进行无压烧结研究.实验结果表明,掺少量的ZnO能促进ZrO2与Y2O3的反应,加快四方相向立方相的转变,样品致密度和电导率显著提高.掺0.5wt％ZnO样品在1200℃煅烧2h的陶瓷致密度为94％,700℃时的电导率为9.02×10-3cm-1·Ω-1.
关键词:
纳米ZrO2（8Y）
,
nano-ZnO
,
densification
,
conductivity
任永力
,
劳令耳
,
黄英才
,
刘毅
材料导报
采用溶胶-凝胶法合成制备了具有层状钙钛矿结构的La1.4Sr1.6Mn2-xCoxO7,(X=0～0.5)材料体系,系统研究了样品体系的晶体结构、热膨胀性能和电输运性能.研究发现,Co2+在Mn位的掺杂没有明显改变La1.4Sr1.6-Mn2O7的热膨胀性能,掺杂样品在200～800℃温区内具有相近的线性热膨胀系数.在室温～900℃之间,样品体系的电导率随Co2+掺杂量的增加和温度的升高而增加,其导电机理符合半导体小极化子模型.
关键词:
层状钙钛矿锰氧化物
,
热膨胀
,
电导率
,
小极化子
张志娟
,
劳令耳
,
陈平
,
刘毅
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.02.030
采用低温燃烧法制备了Ce0.8Gd0.2O2-δ(CGO)及掺杂2.0mol%CoO1.333的CGO(2Co-CGO),研究了掺杂Co3O4对CGO密度和电导率的影响.实验发现,由于烧结过程中粘性流动烧结的发生,掺杂Co3O4后可在一定的温度范围内使样品致密度提高;经SEM分析,1100℃烧结5h的2Co～CGO晶粒生长完整;与CGO相比较,2Co～CGO在700℃所测电导率略有降低.
关键词:
CE0.8Gd0.2O2-δ
,
氧化钴
,
掺杂
,
致密度
,
电导率
黄英才
,
刘毅
,
劳令耳
,
袁望治
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.01.024
采用纳米粉料,在单轴成型,无压烧结条件下,用交流阻抗谱技术对掺不同质量百分比ZnO的ZrO2(8mol% Y2O3稳定)烧结体的电性能进行了研究.研究发现ZnO掺杂对ZrO2(8mol% Y2O3稳定)的离子导电性能具有优化作用.
关键词:
YSZ
,
ZnO
,
复合掺杂
,
交流阻抗谱
,
电导率
刘毅
,
劳令耳
,
袁望治
,
王大志
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.03.027
以3Y2O3-ZrO2纳米粉和ZnO,AlO3纳米粉为原料,采用交流阻抗谱技术对掺少量ZnO和Al2O3的3Y2O3-ZrO2烧结陶瓷进行电性能研究.研究表明:少量纳米ZnO掺杂降低了3Y2O3-ZrO2的电导率,但随着掺入量的增加,电导率开始回升.在ZnO掺杂样品中加入少量纳米Al2O3进行复合第二相掺杂,结果提高了3Y2O3-ZrO2材料的电导率.同时少量Al2O3的掺入降低了晶粒电导活化能,使得晶粒电导率增加.
关键词:
3Y2O3-ZrO2
,
纳米ZnO
,
纳米Al2O3
,
电导率
,
活化能
袁望治
,
劳令耳
,
郭捷
,
田卫
,
刘毅
,
王大志
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.01.015
在纳米4YSZ粉中加入少量纳米Al2O3粉,素坯两次400MPa加压成型后在4GPa高压下再成型,素坯相对密度达72.4%,降低了烧结致密温度.超密实坯体在1100℃常压下烧结2小时,陶瓷体致密度达99.2%.烧结样品的晶胞四方度atc-1t为1.012,晶胞体积V为0.132nm3.1100℃常压煅烧,烧结体晶粒大小在40～70nm.烧结体研磨成粉后含有12～14%的单斜相.
关键词:
纳米4YSZ
,
高压成型
,
烧结
,
微观结构
刘毅
,
劳令耳
,
袁望治
,
黄英才
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.05.033
采用纳米ZrO2(8Y)粉和纳米ZnO粉为原料,对掺少量ZnO的ZrO2(8Y)进行无压烧结研究.实验结果表明,掺少量的ZnO能促进ZrO2与Y2O3的反应,加快四方相向立方相的转变,样品致密度和电导率显著提高.掺0 5wt%ZnO样品在1200℃煅烧2h的陶瓷致密度为94%,700℃时的电导率为9.02×10-3cm-1@Ω-1.
关键词:
纳米ZrO2(8Y)
,
纳米ZnO
,
致密度
,
电导率
