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TiNiCu合金薄膜的制备及形状记忆性能

卞铁荣 , 李虹艳 , 卢正欣 , 高坤 , 井晓天

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.09.004

采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49.57%Ni-5.6%Cu合金薄膜.XRD图谱表明,该薄膜为非晶态.对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0.5 h、650℃×0.5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2.7%;90 MPa、1.4%.

关键词: 硅基片 , 直流磁控溅射 , TiNiCu薄膜 , 非晶态 , 晶化 , 退火 , 形状记忆 , 恢复应力 , 恢复应变

不同Cu含量的TiNiCu形状记忆合金薄膜的组织与相变

卞铁荣 , 卢正欣 , 井晓天

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2008.01.015

利用TEM、XRD、DSC测试方法,首次系统地研究了直流磁控溅射制备的3种不同Cu含量的TiNiCu形状记忆合金薄膜的退火组织和加热与冷却过程中发生的相变.结果表明:退火后的薄膜获得了形状记忆性能;随着薄膜中Cu含量的增加,薄膜的退火组织出现差异,相变滞后明显变小,相变温区变窄;使获得快速响应的形状记忆合金薄膜成为可能.

关键词: TiNiCu形状记忆合金 , 薄膜 , 相变

磁控溅射制备Ti-Ni-Cu记忆薄膜与组织成分研究

卞铁荣 , 卢正欣 , 井晓天

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2007.06.016

优化直流磁控溅射Ti-Ni-Cu薄膜的制备工艺参数,研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律.采用SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析.结果表明,经650℃、0.5 h退火,溅射态的非晶无序结构的Ti-Ni-Cu薄膜完全晶化,获得形状记忆效应.室温下基体组织为立方结构的B2相.溅射薄膜的厚度与时间几乎呈线性变化;而薄膜的沉积速率随着溅射功率的增大而升高,但溅射功率再增大则沉积速率降低;薄膜的成分随溅射功率、工作气压及时间的变化基本一致,不存在成分离散问题.

关键词: Ti-Ni-Cu , 薄膜 , 磁控溅射 , 非晶 , 形状记忆

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