戴宪起
,
孙永灿
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赵建华
,
危书义
新型炭材料
利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(钢)原子在石墨烯上吸附的影响.结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用.而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强.无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附.
关键词:
第一性原理
,
吸附
,
空位
,
掺杂
,
铟
,
硅
,
石墨烯
危书义
,
吴花蕊
,
夏从新
,
黄文登
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.004
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN量子点的光学性质及激子态做了研究.给出了激子结合能Eb、量子点发光波长λ、电子-空穴复合率和量子点高度LGaN以及势垒层厚度LAlGaN之间的函数关系.结果表明,量子点高度LGaN、势垒层厚度LAlGaN的增加将导致激子结合能、电子-空穴复合率的降低,耦合量子点发光波长的增加.
关键词:
耦合量子点
,
压电极化
,
自发极化
,
量子约束斯塔克效应
,
带间光跃迁
危书义
,
张芳
,
黄文登
,
李伟
,
赵旭
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.04.009
采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN混晶性质;基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子, 得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的色散关系,并对InxGa1-xN/GaN单量子阱界面声子的色散关系进行了数值计算和讨论.结果表明,纤锌矿InxGa1-xN混晶中的E1声子和A1声子都表现为单模行为;在对称非应变单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子频率随x的变化呈线性关系.
关键词:
InxGa1-xN/GaN
,
界面声子
,
量子阱
危书义
,
杨艳岭
,
夏从新
,
吴花蕊
,
赵旭
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.002
在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN圆柱型应变耦合量子点中激子非线性光学性质进行了研究.计算结果表明,内建电场使吸收光谱向低能方向移动,发生红移现象,并且使吸收峰强度大大减小.量子限制效应使光吸收峰强度随着量子点尺寸的减小而增强,并且随着量子点尺寸的减小,吸收光谱发生蓝移现象.
关键词:
耦合量子点
,
激子
,
内建电场
,
光吸收系数
危书义
,
王雁
,
魏玲玲
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.002
根据介电连续模型和单轴晶体模型,运用传递矩阵的方法研究了纤锌矿量子阱中的界面声子,并且计算和讨论了纤锌矿GaN/ZnO单量子阱和耦合量子阱中的界面声子的色散关系.计算结果表明纤锌矿晶体的各向异性对界面声子模有大的影响:界面声子模出现在两个能量区域中,分别是:[停琓Zno,鵽,TGaN]和[停琇Zno,鵽,TGaN];界面声子随波数q⊥的减小色散越发明显、随波数q⊥增大分别趋近于54.32 meV和86.56 meV两个定值;当波数q⊥值非常小时,出现界面声子的色散消失现象,消失部分将穿越界面声子的能量区域转化为准受限声子或半空间声子.
关键词:
界面声子
,
色散关系
,
量子阱
马丽
,
危书义
,
汪建广
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.z1.031
用TB-LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs (100) 表面的化学吸附, 对GaAs(100)表面是Ga-和As-中断两种情况分别进行考虑. 计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁的GaAs(100)表面的层投影态密度, 以及电子转移情况. 结果表明, 两种情况下S原子都是桥位吸附最稳定, S-Ga相互作用比S-As稍强, S钝化GaAs(100)表面可以取得明显的钝化效果.
关键词:
化学吸附
,
钝化
,
超级原胞
,
相互作用
