张战刚
,
刘杰
,
侯明东
,
孙友梅
,
苏弘
,
耿超
,
姚会军
,
罗捷
,
段敬来
,
莫丹
,
古松
,
刘天奇
,
习凯
,
翟鹏飞
,
曹殿亮
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.195
重离子实验结果表明,具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大,甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米,被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图...
关键词:
单粒子效应
,
静态随机存储器
,
各向异性布局
,
多位翻转
习凯
,
刘杰
,
张战刚
,
耿超
,
刘建德
,
古松
,
刘天奇
,
侯明东
,
孙友梅
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.01.081
随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻转,严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布,分析得出以下规律:入射离子单核能越高,其产生δ电子分布的径向范围越大...
关键词:
单粒子效应
,
δ电子分布
,
多位翻转
,
Geant4
童腾
,
苏弘
,
王晓辉
,
刘杰
,
张战刚
,
刘天奇
,
古松
,
杨振雷
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.170
中国科学院近代物理研究所材料研究中心开展了对静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)单粒子效应(Single Event Effects, SEEs)的深入研究。材料中心目前拥有的两套SRAM单粒子检测系统各自具有一定的局限性,所以又提出了一种改进的SRA...
关键词:
SRAM
,
单粒子效应
,
检测系统
,
重离子
古松
,
刘杰
,
刘天奇
,
张战刚
,
姚会军
,
段敬来
,
苏弘
,
侯明东
,
罗捷
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.353
宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应一直受到国内外的关注.利用兰州重离子加速器(Heavy Ion Research Facility In Lanzhou)加速出的H2分子打靶产生能量为10 MeV的质子,研究了...
关键词:
质子
,
单粒子翻转
,
核反应
,
CR(E)ME-MC模拟