王惠
,
翟高红
,
冉新权
,
史启祯
,
文振翼
,
罗瑞盈
,
杨延清
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.007
运用Gaussian 98程序包中的AM1方法，通过对间二甲苯系列化合物设定的8种热裂解过程的反应能量、生成自由基的轨道能级、自由基的相对稳定性的量子化学理论计算，研究了间二甲苯系列化合物的热反应活性及热裂解机理.计算结果表明：(1)各反应物的主反应路径均是苯环上甲基CH键首先断裂.该结论与实验结果一致；(2)各反应物之间的热反应活性由大到小顺序为：C8H9OH(d1)>C8H9SH(d2)>C8H10(a)> C8H9CN(d3).同时亦说明，自由基前线轨道能级差及生成自由基的相对稳定性和热力学等理论参数一样,亦适合于研究间二甲苯系列反应物的热解机理和热反应活性
关键词:
碳前驱体
,
热裂解机理
,
AM1法
米超辉
,
崔斌
,
游桥明
,
畅柱国
,
史启祯
功能材料
以Li2O-SiO2（LSO）复合组分作为助烧剂,比较纳米掺杂和直接掺杂对X7R型BaTiO3基陶瓷显微结构和介电性能的影响,并进一步研究直接掺杂LSO的用量及烧结温度的影响,同时通过缺陷化学理论探讨了陶瓷的烧结机制。实验结果表明与纳米掺杂相比,直接掺杂助烧剂能够使掺杂元素进入晶格产生离子空位等缺陷,减少了物质迁移所需的活化能,从而有效促进陶瓷致密化过程,显著改善陶瓷的微观形貌及其介电性能。陶瓷样品的介电常数随着LSO助烧剂掺杂量的增加先增大后减小;当助烧剂掺杂量为0.08%（摩尔分数）时,样品可在1200℃烧结,室温介电常数达到4855,且容温特性满足X7R标准。通过直接掺杂能够使助烧剂十分均匀地分布在陶瓷材料中,可以显著减少助烧剂的用量,达到明显降低烧结温度的目的,并起到助烧兼改性的作用。
关键词:
纳米掺杂
,
直接掺杂
,
Li2O-SiO2
,
BaTiO3
崔斌
,
屈绍波
,
田长生
,
史启祯
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.016
本文采用半化学法,即硝酸铁代替传统氧化物混合法中的三氧化二铁与PbO和WO3浆料混合,经850℃,2h预烧,一步合成了钙钛矿单相的Pb(Fe2/3W1/3)O3(PFW)预烧粉体;再经870℃和2h烧结,得到了纯钙钛矿相的PFW陶瓷,其理论密度大于98%,在1kHz时的最大介电常数εmax为8000,高于二次合成法和传统氧化物法制备的PFW陶瓷,表明半化学法对制备PFW陶瓷是可行的.
关键词:
钨铁酸铅
,
钙钛矿相
,
弛豫铁电陶瓷
,
半化学法
崔斌
,
杨祖培
,
侯育冬
,
田长生
,
史启祯
无机材料学报
采用半化学法制备了纯钙钛矿相的0.80Ph（Mg1/3Nb2/3）O3-0.20PbTiO3（简称为0.80PMN-0.20PT）陶瓷.反应前驱体是以硝酸镁的饱和溶液代替传统氧化物混合法中的氧化镁,与PbO、Nb2O5和 TiO2混合球磨得到的.该前驱体的TG-DTG-DSC和XRD分析表明,半化学法的反应机理不同于传统氧化物混合法和二次合成法的反应机理.在煅烧过程中,硝酸镁与氧化铅反应生成铅的活化中间体Pb6O5（NO3）2,由此活化的PbO或Pb3O4可与Nb2O5生成不稳定的、缺B位的焦绿石相Pb3Nb2O8;再与MgO反应生成钙钛矿相PMN-PT.
关键词:
半化学法
,
lead magnesium niobate
,
reaction mechanism
,
perovskite phase
李东升
,
王尧宇
,
刘萍
,
王继武
,
史启祯
功能材料
以KMnO4和MnSO4*H2O为原料, 采用氧化还原沉淀法制备了KMn8O16粉体,运用XRD、ICP、SEM、TEM、IR、XPS等分析手段对其结构、大小、形貌及相关性质进行了表征.结果表明,所获粉体由大小均匀、平均尺寸约为230nm×25nm的棒状粒子组成;粉体中Mn主要存在形式是+4价,并含有一定数量的表面氧缺位,其较高的H2O2分解活性与它的表面微结构有关.
关键词:
KMn8O16
,
纳米棒
,
表面结构
,
催化活性
崔斌
,
梁山
,
高秀华
,
李恒欣
,
史启祯
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.019
采用半化学法制备了掺锰的0.5Pb(Mg1/2W1/2)O3-0.5PbTiO3(PMW-PT)陶瓷.掺锰PMW-PT反应前驱体是以醋酸镁和硝酸锰分别代替传统化物法中的MgO和MnO2制得的.通过XRD和SEM对掺锰PMW-PT陶瓷样品进行了表征,并测试了陶瓷的介电性能.主要讨论了烧结温度和掺锰对PMW-PT陶瓷介电性能的影响.研究结果表明:半化学法能够制得掺锰均匀且为纯钙钛矿相的PMW-PT陶瓷,掺锰抑制陶瓷的晶粒长大,从而提高了PMW-PT陶瓷的烧结温度;掺锰明显降低了陶瓷的介电损耗,同时提高了陶瓷的介电常数,但随掺锰量的增加,陶瓷的介电常数减小.PMW-PT陶瓷的合适掺锰量为0.25mol%,烧结条件为1050℃/2h,最大介电常数为9230,介电损耗低于0.04.
关键词:
半化学法
,
钨镁酸铅
,
掺锰
,
介电常数
