张俊刚
,
夏长泰
,
吴锋
,
裴广庆
,
徐军
,
邓群
,
徐悟生
,
史宏生
功能材料
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.
关键词:
浮区法
,
宽禁带半导体
,
β-Ga2O3单晶
