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化学气相沉积法生长石墨烯的研究

史永贵 , 王东 , 张进成 , 张鹏 , 史学芳 , 郝跃

人工晶体学报

以甲烷为碳源,原铜箔和用过硫酸铵清洗过的铜箔为衬底,对比研究了铜的表面结构、生长温度及冷却速率对石墨烯CVD法生长的影响.研究发现经过处理的铜箔表面粗糙度小,显微结构精细,化学活性高,更有利于石墨烯的快速形核与生长.而原铜箔因表面粗糙度大,存在大量粗大纹理结构,化学活性低,使得石墨烯的形核生长需要更...

关键词: 石墨烯 , 化学气相沉积 , 表面粗糙度 , 生长温度 , 冷却速率