马楠
,
邓军
,
史衍丽
,
沈光地
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.015
在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求.本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速确定器件的探测波长.以光致荧光光谱对GaAs/AIGaAs多量子阱...
关键词:
红外
,
QWIP
,
暗电流
,
光荧光谱
