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CoSb3基方钴矿化合物的 Ga,In 掺杂及相关复杂缺陷的研究

席丽丽 , 邱雨婷 , 史讯 , 杨炯 , 陈立东 , 杨继辉 , 张文清

中国材料进展 doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.01.04

通过第一性原理与热力学结合的方法，研究了 Ga，In 等掺杂的 CoSb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了 Ga，In 在 CoSb3中填充，Co，Sb 位置替换以及填充－替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明，缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga，In 等在方钴矿中不是单纯的填充，...

关键词: 方钴矿 , 第一性原理 , 热电材料 , 复杂缺陷结构