吴雪梅
,
董业民
,
诸葛兰剑
,
叶春暖
,
汤乃云
,
俞跃辉
,
宁兆元
,
姚伟国
功能材料
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge-SiO2薄膜、非晶Si-SiO2薄膜和非晶AlSiO复合薄膜,分析了样品的结构,研究发现3类样品均存在较强的光吸收,对于Ge-SiO2薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的.而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象,这可能是由于样品中的杂质或缺陷等受到限域作用的结果.
关键词:
薄膜
,
结构
,
光吸收
曹冠英
,
何培松
,
叶春暖
,
楼成飞
,
莫晓亮
,
杨剑
,
姚彦
,
孙大林
,
陈国荣
功能材料
采用真空饱和蒸气反应法制备了一种新型的金属有机络合物Ag(TCNQ)的纳米线阵列;首次应用石英晶体微量秤(QCM)的方法评价其贮氢性能,发现在常温常压下其重量贮氢量可达1.34%;推测其贮氢机理是由于Ag(TCNQ)疏松的晶体结构及纳米线阵列较大的比表面积.
关键词:
贮氢
,
金属有机络合物
,
Ag(TCNQ)纳米线
,
真空饱和蒸气反应法
,
石英晶体微量秤(QCM)
董业民
,
叶春暖
,
汤乃云
,
陈静
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
王曦
,
姚伟国
功能材料
采用射频磁控溅射技术,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件.器件的结构为半透明Au膜/Ge纳米镶嵌薄膜/P-Si基片.当正向偏压大于6V时,用内眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射.所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm(2.4eV,绿光),并且随着正向偏压的升高,峰位不发生移动;对于不同温度退火的样品,峰位也保持不变.根据分析结果讨论了可能的电致发光机制.
关键词:
锗纳米镶嵌薄膜
,
电致发光
,
发光机制
叶春暖
,
莫晓亮
,
徐华华
,
韩成赫
,
曹冠英
,
孙大林
,
陈国荣
功能材料
采用气-液-固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线.样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50～300nm,长度在2～50μm.初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5Vμm-1,最大发射电流密度约为0.03mAcm-2,此时对应的电场约为2.5Vpm-1.由测量所得I-Ⅴ曲线得到的FoWler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能.重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性.结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素.
关键词:
气-液-固反应
,
Ag(TCNQ)纳米线
,
场发射
汤乃云
,
叶春暖
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
俞跃辉
,
姚伟国
功能材料
用射频磁控溅射制备了Ge-SiO2薄膜.在N2的保护下对薄膜进行了不同温度的退火处理.使用傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)技术,X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)分析样品的微结构,研究样品在退火中发生的结构、组分的变化.结果表明退火温度对薄膜的结构,尤其是薄膜中的GeO含量和GeO晶粒的大小的影响是显著的,并对其做了详尽的分析讨论.
关键词:
薄膜
,
溅射
,
退火温度
叶春暖
,
汤乃云
,
吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
俞跃辉
,
姚伟国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.003
采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.为探讨其发光机制,对薄膜的结构进行了表征.XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nmPL由GeO缺陷引起,580nmPL与Ge纳米晶粒和基质SiO2界面处的发光中心相联系.
关键词:
Ge-SiO2薄膜
,
磁控溅射
,
光致发光
诸葛兰剑
,
郭治天
,
吴雪梅
,
汤乃云
,
叶春暖
,
姚伟国
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.01.022
研究了球磨α-Fe粉末与间苯二胺混合时发生的固相反应以及铁氮化物的形成机理.在球磨过程中.随着球磨时间的延长α-Fe粉末与间苯二胺混合物发生的相变为α-Fe→α′-Fe(N)→ε-Fe2-3N,球磨250 h后.可得到含有11.53%N(质量分数)的过饱和ε-Fe2-3N相.它在512℃以下是稳定的.其饱和磁化强度为81.4 emu/g,剩磁为33.8 emu/g,矫顽力为16.3 kA/m.与固气反应相比,用固-固反应制备ε-Fe2-3N相的效率更高.
关键词:
球磨
,
固相反应
,
ε-Fe2-3N相
,
磁性能
,
热稳定性
