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两段式结构赝三元材料热电模块的研究

张国威 , 叶水驰 , 李海军 , 刘振茂

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.05.016

在实验研究单段式结构赝三元材料的热电模块基础上,利用现有半导体致冷器生产工艺,依据热电材料的温度特性和冷热端工作温度,采用不同电阻率的赝三元材料,设计制作了两段式结构的热电模块.研究表明,当冷、热端工作温差为80 K时,其输出功率和发电效率均比单段式结构的热电模块提高80%左右.

关键词: 赝三元材料 , 热电模块 , 有效优值

活性填料在制备陶瓷基复合材料中的应用

蓝慕杰 , 叶水驰 , 鲍海飞 , 周士仁 , 姚枚

材料研究学报

研究了Ti、TiH2等活性填料在聚碳硅烷先驱体裂解制备SiC陶瓷材料中的应用. Ti、TiH2等可增加聚碳硅烷的裂解陶瓷产率, 可与N2气氛反应生成氮化物, 导致体积膨胀而降低陶瓷的气孔率, 提高材料性能.

关键词: 活性填料 , null , null , null

在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体

蓝慕杰 , 叶水驰 , 鲍海飞 , 周士仁 , 姚枚

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.01.014

在横向磁场中用Bridgman法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势,在头部有三种类型的分布.磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变.当安瓿绕生长轴匀速旋转时,晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征,也没有常规Bridgman法生长晶体的径向对称性.尾部呈现圆锥状的凸起,可能是旋转生长抑制胞状结构的证据.

关键词: HgCdTe , Bridgman法 , 磁场 , 组分

非晶态Se及掺杂Sb的Se薄膜晶化特性研究

叶水驰 , 鲍海飞 , 蓝慕杰

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.015

利用光学显微镜和X射线衍射技术,分析了非晶态Se和掺杂Sb的Se薄膜的晶化特性.Se薄膜由于保存周期不同以及Sb掺杂到Se中的Sb含量的多少都会影响Se的晶化特性;在热处理下薄膜的晶化呈现各向异性的择优生长.分析了晶化过程中微裂纹的产生,晶界的产生和体积收缩.薄膜与衬底之间的热应力是产生微裂纹的主要因素.

关键词: Se薄膜 , 掺杂Sb的Se薄膜 , 晶化 , 微裂纹

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