吉强
,
沈鸿烈
,
江丰
,
王威
,
曾友宏
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2013.02.008
用两步法制备了SnS薄膜,首先在玻璃衬底上用磁控溅射法沉积一层Sn薄膜,然后在220℃下加热炉中硫化60 min.对该薄膜进行结构、表面形貌和光电性能分析,结果表明:制备的SnS薄膜为p型导电,有明显的(040)方向择优取向；薄膜表面致密,S和Sn原子非常接近化学计量比；薄膜呈现高于5×104 cm-1的吸收系数和持续光电导效应,其直接带隙约为1.23 eV,适合作为太阳能电池的吸收层材料和用于制作光敏器件.
关键词:
SnS薄膜
,
两步法
,
太阳能电池
,
光电性能
