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绝缘层方势垒影响下N/I/自旋三重态p波超导体结的隧道谱

吉跃仁

低温物理学报

以方势垒描述正常金属/绝缘层/自旋三重态p波超导结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了p波超导结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度的增加,可导致自旋三重态p波超导结隧道谱中出现亚能隙共振峰,粗糙界面散射和杂质散射均对亚能隙共振产生影响;(2)对于px波结,粗糙界面散射和杂质散射均能使零偏电导峰变成凹陷,杂质散射能引起零偏电导峰的劈裂;(3)对于px波结,绝缘层厚度和杂质散射的变化均能在能隙内产生阶梯状的谱形,粗糙界面散射和杂质散射均能使谱线中的零偏电导凹陷上升为峰;(4)对于px+ipy波结,绝缘层厚度和粗糙界面散射均可导致双凹陷结构的消失和小的能隙峰的出现,它们的变化对零偏压处是峰还是凹陷产生直接影响;杂质散射能使零偏电导峰出现劈裂,并使零能凹陷和能隙处的双凹陷加深.

关键词: 方势垒 , N/I/p波超导结 , 隧道谱

正常金属/绝缘层/正常金属/f波超导体量子点接触的微分电导

吉跃仁

低温物理学报

在Blonder-Tinkham-Klapwijk理论的框架下,计算了正常金属/绝缘层/正常金属(N/I/N)/f波超导体量子点接触的隧道谱.结果表明:在单模情况下,当fx2-y2波超导体的a轴与正常金属/fx2-y2波超导体间的界面夹角α为零度时,零偏压电导随绝缘层到界面的距离(L)变化,这导致了隧道谱中零偏压电导峰的出现或消失;当α=π/4,零偏压附近的电导随绝缘层势垒的增加,从零偏压电导峰逐渐变成了V型结构,能隙内的谱线出现尖谷,并随L的变化发生谷裂.N/I/N/f波超导体量子点接触隧道谱的这些特征与N/I/N/d波和N/I/N/p波超导体量子点接触隧道谱的特征不同,利用这些特征,我们能把f波超导体与d波和p波超导体区别开.

关键词: 量子点接触 , f波超导体 , 隧道谱

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