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系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理.同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景.

关键词: 热蒸发法 , 第Ⅳ族半导体 , Si纳米线 , Ge纳米线 , SiGe纳米线

离子注入改善纳米二氧化钛薄膜光催化性能

向钢 , 王聪 , 郑树凯 , 王天民

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.006

利用直流磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制备了透明的纳米TiO2光催化薄膜.利用离子注入技术将Sn离子注入到TiO2表面以提高其光催化活性.用X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)以及UV-VIS分光光度计对薄膜进行结构与性能表征.Sn离子注入后的薄膜具有更高的光催化活性,这是因为在TiO2和SnO2半导体的复合体系中,电子-空穴对的分离变得更加有效,从而提高了其催化性能.

关键词: 纳米TiO2薄膜 , 离子注入 , 光催化

综述了Ⅲ-V族稀磁半导体(Ga,Mn) As磁电性质的研究进展,尤其是(Ga,Mn)As单层膜和多层膜结构的磁电输运性质的详细研究状况.关于(Ga,Mn) As的结构与物理性质的信息可由单层膜的反常霍尔效应、平面霍尔效应、电阻对温度的依赖关系与磁阻各向异性等磁电输运性质测量得到;而多层膜中观察到的自旋阀效应、自旋相关散射与层间交互耦合等现象,对加深稀磁半导体的基本物性认识、拓展稀磁半导体的实际应用空间非常重要.最后总结并展望了(Ga,Mn) As未来的发展趋势.

关键词: (Ga,Mn) As , 磁电输运性质 , 反常霍尔效应 , 自旋阀效应 , 平面霍尔效应

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热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展

离子注入改善纳米二氧化钛薄膜光催化性能

(Ga,Mn) As磁电输运性质的研究进展

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