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PECVD淀积SiO2的应用

吕文龙 , 罗仲梓 , 何熙 , 张春权

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.008

研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响.结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约21μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模.

关键词: PECVD , SiO2 , AZ5214E , 剥离