曾庆明
,
吕长志
,
刘伟吉
,
李献杰
,
赵永林
,
敖金平
,
徐晓春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.010
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz.
关键词:
GaN
,
HEMT
张小玲
,
张健
,
谢雪松
,
吕长志
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.005
本文建立了一种新的IGBT三维热模型并运用基于有限元法的分析软件ANSYS软件对其热分布进行了模拟分析.结果表明由于单元的热耦合作用,原包间距在10um时比较合适；在相同的功率(P=1W)条件下,材料热导率随温度的变化导致器件的温度升高了4.8K；当焊料层存在空洞的情况下,器件的温度分布发生了明显的变化,比没有空洞情况下器件的上表面温度上升了24.9K.
关键词:
IGBT热模型
,
热分布
,
仿真
,
焊料层
单尼娜
,
吕长志
,
李志国
,
张小玲
,
郭春生
,
朱春节
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.009
对VDMOS各样品进行总剂量3KGy(Si)的γ射线辐照试验,对比了试验前后的阈值电压、亚阈值电流、跨导及导通电阻的变化情况,并从理论上分析了参数退化的原因.然后研究了辐照后VDMOS各样品在室温下长时间存储及退火后参数的变化情况,并做出了解释.试验结果表明:γ射线辐照使得各样品参数有不同程度的退化,其中,A类样品的阈值电压平均退化4.5V,B类样品平均退化1.74V;亚阈值电流增长大于2个数量级;跨导平均增长0.7S;导通电阻平均退化0.052Ω.在室温下长时间存储后样品参数有小幅度的恢复.高温退火使得样品各参数基本恢复至辐照前水平.
关键词:
VDMOS
,
辐照
,
阈值电压
,
存储
,
退火
刘扬
,
吕长志
,
谢雪松
,
段毅
,
王元春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.013
本文主要介绍了CETRM(恒定电应力温度斜坡法)可靠性试验方法及模型,基于DC/DC开关电源变换器模块的输入电流、输出电流和输出电压等参数的退化曲线,研究了可靠性寿命预计的算法,推导出模块正常工作条件下的寿命约为8.7×104h.根据其参数的退化曲线,确定出模块的失效敏感参数为输出电压,并通过失效机理一致性判别模型得出模块在75～160℃的温度范围内其失效机理是一致的.在此温度范围内求出了样品的失效激活能为0.59eV,最终推导出了模块在室温工作时的寿命,证明了恒定电应力温度斜坡法可以用于预测DC/DC开关电源模块的寿命.
关键词:
变换器模块
,
可靠性
,
CTERM
,
寿命
