吴亚美
,
杨瑞霞
,
田汉民
,
陈帅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.07.037
采用一步溶液法制备的CH3 NH3 PbI3薄膜,用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X 射线衍射仪对 CH3 NH3 PbI3钙钛矿薄膜的表面形貌和晶体结构进行表征.通过对薄膜的电流-电压(I-V)曲线的测试结果计算得到在退火温度为60,80,100,120和140℃制备的CH3NH3PbI3薄膜的电导率分别为0．0069,0．0089,0．0178,0．0104和0．0013 mS/cm.研究结果表明,合适的退火温度有助于薄膜结晶度的提高,晶粒尺寸的增大且尺寸分布均匀,从而有效减少晶界缺陷和晶界散射,薄膜电导率大幅度提高.但是,过高的退火温度(＞120℃)会导致碘离子 VI空位缺陷的数量急增,甚至导致CH3 NH3 PbI3的分解,使得薄膜内部的缺陷浓度提高.由于缺陷散射增强,载流子迁移率降低,薄膜电导率减小.
关键词:
钙钛矿
,
CH3NH3PbI3
,
太阳电池
,
退火温度
,
电导率
