孟佳
,
罗文博
,
吴传贵
,
孙翔宇
,
张平
,
俞玉澄
,
帅垚
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.010
以铌铁矿预产物法合成的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷粉体和聚二氟乙烯-三氟乙烯共聚物 P (VDF-TrFE)为原料,采用流延法在 ITO 衬底上制备了不同质量配比的 PMN-PT/P (VDF-TrFE)复合厚膜.采用 XRD 及 SEM 分别分析了 PMN-PT 粉体的物相结构和复合材料的界面特征.通过测试复合材料的介电-温度曲线,计算出加载在陶瓷相上的极化分压与温度的关系,得到优化的极化温度.与常规的分步极化相比,探讨了在优化极化条件下陶瓷相含量对复合材料热释电性能的影响,结果表明在极化温度为110℃,PMN-PT 质量分数为55％时,得到了热释电系数为58．6μC/(m2?K)的热释电复合厚膜材料.
关键词:
PMN-PT/P(VDF-TrFE)
,
0-3 型复合材料
,
极化温度
,
热释电性
刘祚麟
,
吴传贵
,
张万里
,
李言荣
功能材料
采用倒筒式射频溅射方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C/(cm2·K).红外单元探测器在30Hz下的探测率D*为4.93×107cm*Hz1/2/W.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法,适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.
关键词:
BST
,
倒筒式
,
射频溅射
,
热释电系数
,
探测率
卢肖
,
吴传贵
,
张万里
,
李言荣
功能材料
采用射频溅射制备Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,研究了测试温度(295～375K)对BST薄膜J-V(电流密度-电压)特性的影响.实验发现:J∝Vm在低场下(V＜1.8V)m≈1,高场下(V＞1.8V)m≈8.随着测试温度升高,在低场下电流密度增大,指数m值保持不变;而在高场下电流密度减小,指数m值减小.通过进一步分析发现:电流密度和温度的关系在低场下满足lnJ∝-1T,在高场下满足logJ∝1t.
关键词:
BST薄膜
,
漏电流
,
温度特性
,
空间电荷限制电流
吴传贵
,
刘兴钊
,
张万里
,
李言荣
功能材料
利用传统陶瓷工艺制备出BST(65/35)倒筒靶,采用射频溅射法沉积薄膜.开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究,总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法.介电性能测试表明:BST薄膜的介电常数约为60～70,介电损耗为1.5%～2.5%,居里温度为284K,介电温度系数(TCD)为0.5%.漏电流测试表明:在1MV/cm电场下,漏电流密度为1.9×10-6A/cm2.
关键词:
BST薄膜
,
射频溅射
,
低温沉积
,
红外探测器
蔡光强
,
罗文博
,
吴传贵
,
陈冲
,
钱东培
功能材料
采用流延工艺，在ITO玻璃衬底上制备了不同质量分数的锆钛酸铅（PZT）／聚偏氟乙烯（PVDF）热释电复合材料。采用X射线衍射方法对复合材料极化前后的物相变化进行了对比分析，通过扫描电子显微镜分析了不同PZT质量分数复合材料的界面特征。从热释电探测器件的实际要求出发，利用介电阻抗测试仪、动态法热释电系数测试系统等仪器系统地测试了复合材料体系中PZT含量对材料热释电性能和介电性能的影响。结果显示，在PZT质量分数为50％时，制得了热释电系数p为4．1nC／（cm2·K）的性能优良的热释电复合材料。
关键词:
0-3型复合材料
,
PZT/PVDF
,
热释电性
何小祥
,
吴传贵
,
张万里
功能材料
利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性.反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制.正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应.利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受εr(T)和V(Tc/T)+1的共同作用,其中εr(T)的作用占优.
关键词:
PTCR
,
BST薄膜
,
陷阱填充限制电流
,
空间电荷限制电流
