吴克跃
,
吴兴举
人工晶体学报
研究了氮气压强对脉冲激光沉积(PLD)法制备ZnO薄膜形貌及光电学性能的影响.结果表明,当氮气压强较低时,ZnO薄膜是由尺寸为50 nm的薄片组成;当氮气压强增加后,ZnO薄膜变成多孔状,并且组成ZnO薄膜的颗粒尺寸逐渐减小.在氮气压强为20 Pa以上时,所制备的ZnO薄膜的光致荧光(PL)光谱是由...
关键词:
ZnO
,
氮气
,
脉冲激光沉积
,
光电性能
黄文娟
,
方庆清
,
王伟娜
,
吴克跃
,
张瀚铭
,
张启平
人工晶体学报
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备Zn1-xMgxO薄膜,研究了退火温度和氧压对Zn1-xMgxO薄膜的结构和磁性的影响.结果表明,Mg掺入量影响ZnO结构相变,当x≥0.25时,Zn1-xMgxO薄膜由六角纤锌矿结构变为立方结构,同时磁性增强.随着氧压的增大和后续退火温度...
关键词:
Mg掺杂ZnO薄膜
,
室温铁磁性
,
表面缺陷
黄伟其
,
秦朝建
,
许丽
,
吴克跃
材料科学与工程学报
由Si-H键钝化的多孔硅的光致荧光(PL)发光频移遵循量子受限效应,随着纳米结构尺寸的变小PL发光频率从红外蓝移到紫外.多孔硅被氧化后,PL发光带的中心波长被钉扎在700nm～750nm范围,且强度明显增加.计算表明,氧化后的Si=O键或Si-O-Si键能在展宽的导带下方形成电子陷阱态.由此提出量子...
关键词:
光致荧光
,
多孔硅氧化
,
钉扎和增强效应
,
电子陷阱态
吴克跃
,
吴兴举
,
常磊
人工晶体学报
利用溅射方法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,探究了衬底温度对薄膜的形貌特征、结构和光电性能的调控.实验结果表明:衬底温度可以调控AZO薄膜的生长方式以及光电性能.随着衬底温度的升高,AZO薄膜从无规则的形状转变为球形并且其颗粒尺寸逐渐减小.XRD分析表明样品的结晶质量随着衬底温度的升高而变佳.透...
关键词:
氧化锌
,
磁控溅射
,
衬底温度
,
光电性能
