夏宗仁
,
吴剑波
,
郑威
,
徐玉恒
功能材料
在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%):LN,Mg(3mol%):LN,Mg(5mol%):LN,Mg(7mol%):LN,和Mg(9mol%):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO3晶体.测试Mg:LiNbO3晶体的红外光谱,当Mg2+的浓度达到或超过阈值浓度的Mg:LiNbO3晶体,OH-吸收峰移到3535cm-1,晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高两个数量级以上.测试Mg:LiNbO3晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)Mg:LiNbO3晶体的相位匹配温度随Mg2+浓度的增加而改变,Mg(5mol%):LN,晶体的相位匹配温度达到116℃,Mg(9mol%):LN晶体在室温附近.
关键词:
LiNbO3晶体
,
抗光折变性能
,
红外光谱
高磊
,
王继扬
,
刘宏
,
吴剑波
,
秦小勇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.002
利用提拉法,在富锂(Li2O∶NbO3=58.5/41.5)熔体中生长了质量良好的近化学计量比铌酸锂单晶,其紫外吸收边位置为308nm,居里温度超过了1200℃.测量了其Z向晶片的压电系数d33,并且观察了Z向晶片的180°畴,结果证明除少数区域外,所生长晶体为单畴.
关键词:
化学计量比
,
铌酸锂晶体
,
富锂
,
晶体生长
