李汶军
,
施尔畏
,
郑燕青
,
吴南春
,
殷之文
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.014
在各种晶体的结构类型中BaTiO3、CeO2和NaCl晶体的结构相对比较简单,但是它们的生长习性一直得不到合理的解释.如PBC理论很难合理解释BaTiO3、NaCl和CeO2晶体的生长习性及习性变化.本文采用配位多面体生长习性法则研究了BaTiO3晶体,CeO2晶体和NaCl晶体的理论生长习性.发现BaTiO3晶体的生长习性为立方八面体;CeO2晶体的生长习性为立方体;NaCl晶体的生长习性为八面体,解释了溶液的过饱和度对NaCl晶体的生长习性的影响.
关键词:
BaTiO3晶体
,
CeO2晶体
,
NaCl晶体
,
水热法
,
生长习性
吴南春
,
夏义本
,
谭寿洪
,
刘健敏
,
苏青峰
,
王林军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00381
采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺, 在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下, 沉积了纳米金刚石薄膜. 用X射线衍射, 场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析. 结果表明, 施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向, 表面形貌发生较大变化. 当偏流为8A时, 薄膜晶粒达到最小值, 约为20nm, 薄膜表面也最光滑. 本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.
关键词:
纳米金刚石薄膜
,
preferential orientation
,
morphology
,
electrical properties
李汶军
,
施尔畏
,
郑燕青
,
吴南春
,
殷之文
无机材料学报
在自然界中硫化物晶体的种类较多，其结构较复杂，其中硫离子以S2-和对硫S2-2形式存在．一部分晶体的生长习性得不到满意的解释．本文采用配位多面体生长习性法则合理地解释了MoS2、ZnS、CuFeS2和PbS晶体的生长习性．发现MOS2晶体的生长习性为六方平板状｛0001｝，其各晶面的生长速度为：V＜0001＞＜V＜1010＞；CuFeS2和ZnS晶体的生长习性为四面体，其各晶面的生长速度为：V＜111＞＞V＜001＞＞V＜111＞；PbS晶体的生长习性为八面体｛111｝，立方体只是它的一种习性变化.
关键词:
MoS2
,
ZnS
,
CuFeS2
,
PbS
,
growth habit
李汶军
,
施尔畏
,
郑燕青
,
吴南春
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.03.002
在自然界中硫化物晶体的种类较多,其结构较复杂,其中硫离子以S2-和对硫S22-形式存在.一部分晶体的生长习性得不到满意的解释.本文采用配位多面体生长习性法则合理地解释了MoS2、ZnS、CuFeS2和PbS晶体的生长习性.发现MoS2晶体的生长习性为六方平板状0001,其各晶面的生长速度为:V<0001>;CuFeS2和ZnS晶体的生长习性为四面体,其各晶面的生长速度为:V<111>>V<001>>V<{>; PbS晶体的生长习性为八面体111,立方体只是它的一种习性变化.
关键词:
MoS2
,
ZnS
,
CuFeS2
,
PbS
,
生长习性
吴南春
,
夏义本
,
谭寿洪
,
刘健敏
,
苏青峰
,
王林军
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.02.039
采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺,在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下,沉积了纳米金刚石薄膜.用X射线衍射,场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析.结果表明,施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向,表面形貌发生较大变化.当偏流为8A时,薄膜晶粒达到最小值,约为20nm,薄膜表面也最光滑.本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.
关键词:
纳米金刚石薄膜
,
择优取向
,
显微形貌
,
电阻率
