吴召平
,
方平安
无机材料学报
利用ＸＲＤ及ＸＲＤ极图技术表征了用激光剥离技术生长的ＶＯ２薄膜．结果表明：在衬底温度为５００℃，氧气偏压６．６７Ｐａ的条件下，在Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上能实现ＶＯ２的二维外延生长．薄膜的结构除了与沉积工艺有关外，还和衬底的取向密切相关．在Ａｌ２Ｏ３（１１２０）衬底上，定向生长的（１００）ＶＯ２在Ｍｉｌｌａｒ指数＜５时，除了［０１０］以外，不存在其他晶格矢量与衬底相匹配，从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长．电学特性的测试结果显示，在温度为６５℃左右，ＶＯ２薄膜出现相交，薄膜的电阻率变化达４个数量级．
关键词:
二氧化钒
,
null
,
null
,
null
方平安
,
吴召平
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2002.05.001
采用DTA,XRD,SEM,TEM研究了MgO-Al2O3-SiO2-Li2O-R2O-F(R＝Na,K)玻璃系统晶化过程中的晶相与显微结构演变.结果表明,基础玻璃的分相自650℃开始;700℃以下,初期云母相出现;750℃β-锂辉石开始形成;850～950℃之间,随着Mg2+,K+,F-的扩散进入,β-锂辉石与玻璃相产生交代反应,以过渡相形式转变成云母类固溶体;在950℃以上;β-锂辉石不断转化为锂云母固溶体,云母晶体尺寸长大明显.
关键词:
微晶玻璃
,
锂云母
,
β-锂辉石
,
显微结构
耿杰
,
吴召平
,
陈玮
,
罗澜
无机材料学报
采用高温固相合成法制得了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.X射线衍射分析(XRD)结果表明:该磷光体为SrAl2O4晶体结构,属单斜晶系.其晶格常数为:a=8.4424A,b=8.822A,c=5.1607A,β=93.415°.SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱,激发谱峰位在300～450nm,发射光谱的峰值波长在518nm处.这一结果表明该材料的发光是由Eu2+的4f65d→4f7(8S7/2)宽带跃迁产生的.其余辉衰减由初始的快衰减和其后的慢衰减所组成.通过热释光谱对材料中的陷阱能级进行了分析,该材料中存在两个较深的陷阱能细。苴深度分别为0.38和1.34eV.
关键词:
长余辉
,
spectrum
,
thermoluminescence
,
trap level
刘彤
,
沈菊云
,
陈学贤
,
吴召平
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.05.014
本文运用聚类分析方法,用Foxpro2.6编制光功能玻璃数据库及处理程序,对异相型AgX光色玻璃进行了聚合分类,并讨论了组成和温度对To、Td和Tf的影响. 结果表明:根据不同样本的To25、Td25、Tf25的相似程度,将异相型AgX光色玻璃分成七个相互独立的类别. 经过对七类光色玻璃分析认为:Ag、Cu等元素对光色性质产生较大的影响, 而Mn、Ni等发色元素则大大降低了玻璃的透过率. 分析结果还表明:与在25℃下相比较,在40℃时的To几乎没有变化,而Td、Tf显著增加.
关键词:
聚类分析
,
AgX光色玻璃
,
数据库
,
透过率
吴召平
,
方平安
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.05.020
利用XRD及XRD极图技术表征了用激光剥离技术生长的VO2薄膜. 结果表明:在衬底温度为500℃,氧气偏压6.67Pa的条件下,在α-Al2O3(ll0)衬底上能实现VO2的二维外延生长. 薄膜的结构除了与沉积工艺有关外,还和衬底的取向密切相关. 在α-Al2O3(110)衬底上,定向生长的(100)VO2在Millar指数<5时,除了[010]以外,不存在其他晶格矢量与衬底相匹配,从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长. 电学特性的测试结果显示,在温度为65℃左右,VO2薄膜出现相变,薄膜的电阻率变化达4个数量级.
关键词:
二氧化钒
,
相变
,
极图
,
外延
耿杰
,
吴召平
,
陈玮
,
罗澜
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.037
采用高温固相合成法制得了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.X射线衍射分析(XRD)结果表明:该磷光体为SrAl2O4晶体结构,属单斜晶系.其晶格常数为:a=8.4424A,b=8.822A,c=5.1607A,β=93.415.SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱,激发谱峰位在300t450nm,发射光谱的峰值波长在518nm处.这一结果表明该材料的发光是由Eu2+的4f65d→4f7(8S7/2)宽带跃迁产生的.其余辉衰减由初始的快衰减和其后的慢衰减所组成.通过热释光谱对材料中的陷阱能级进行了分析,该材料中存在两个较深的陷阱能级,其深度分别为0.38和1.34eV.
关键词:
长余辉
,
光谱
,
热释发光
,
陷阱能级
