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2D C/SiC复合材料的可靠性评价

李辉 , 张立同 , 曾庆丰 , 徐永东 , 成来飞 , 董宁 , 吴守军

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2007.04.017

采用概率论和数理统计方法,以研究分析2D C/SiC复合材料的弯曲强度分布规律为切入点,比较了失效概率预测值与实验值,用可靠度、风险函数和可靠强度评价了该材料可靠性.通过线性回归分析和拟合优度检验得到正态、对数正态和三参数Weibull分布模型均可表征其弯曲强度分布规律;确定了该材料弯曲强度失效概率、可靠度函数、风险函数和可靠强度的数学模型中的参数,可以预测给定强度条件和许用可靠度条件下的多种可靠性指标;材料弯曲强度均值的三种模型预测值与实测值最大相对误差仅0.07%,计算得到的失效概率曲线与实验弯曲强度的失效分布均符合很好.

关键词: C/SiC复合材料 , 可靠性评价 , 数学模型

碳化硅涂层的离子注入沉积改性

李舵 , 成来飞 , 吴守军 , 张立同 , 徐永东 , 沈季雄

材料导报

采用全方位离子注入和沉积(Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition,PⅢ&D),在SiC涂层表面形成注入沉积改性层(改性元素Al和Si),观察了离子注入和沉积对涂层表面裂纹的封填情况,分析了离子注入和沉积后涂层表面的相组成,考核了离子注入和沉积对SiC-C/SiC材料抗氧化性能的影响.实验结果表明:注入Al再注入沉积Si改性后显著降低复合材料在1300℃空气中的氧化质量损失,提高了复合材料的抗氧化能力,边注入边沉积Al和同时全方位沉积Al和Si改性对复合材料抗氧化性能改善作用较小,边注入边沉积Si改性改善复合材料抗氧化性能的作用最小.

关键词: 碳/碳化硅复合材料 , 碳化硅涂层 , 离子注入和沉积 , 抗氧化

粉末埋入反应辅助涂覆法制备涂层

桂单明 , 吴守军 , 李欢 , 梁子剑

材料导报

粉末埋入反应辅助涂覆(PIRAC)法是一种低成本、适合复杂表面陶瓷涂层制备的方法.介绍了PI-RAC法的基本原理,采用该方法在金属表面或非金属表面制备氮化物、碳化物及多层陶瓷/金属复合涂层的典型实例,PIRAC涂层的性能及应用.结合当前最新研究结果,对PIRAC涂层的发展做了展望.

关键词: 粉末埋入反应辅助涂覆法 , 涂层 , 陶瓷

3D Hi-Nicalon/SiC复合材料室温三点弯曲强度分布

吴守军 , 成来飞 , 董宁 , 张立同 , 徐永东

复合材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2005.05.021

根据3D Hi-Nicalon/SiC复合材料室温三点弯曲强度实验数据,以Weibull分布为假设分布,采用图解法结合逐步回归优选法进行参数估计,探讨了该复合材料的弯曲强度分布.并根据Kolmogorov非参数检验,对假设分布进行了检验.结果表明:该3D Hi-Nicalon/SiC复合材料室温三点弯曲强度可以采用σu=0,Weibull模数m=8.1545的两参数Weibull分布表征,能够采用求解的Weibull分布很好地预测该3D Hi-Nicalon/SiC复合材料的室温弯曲强度.

关键词: Hi-Nicalon/SiC复合材料 , 弯曲强度 , Weibull分布 , Kolmogorov检验

CVD SiC涂层对3D C/SiC氧化行为的影响

吴守军 , 成来飞 , 张立同 , 徐永东 , 陈照峰

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.041

采用两种不同沉积速度的等温减压化学气相沉积在3D C/SiC上制备了多层CVDSiC涂层.利用扫描电镜对涂层表面和断面进行显微分析,考察了涂层在1300℃下进行恒温氧化的防护效果.慢速减压化学气相沉积能够对多层CVD SiC涂层的涂层间隙缺陷实现有效控制,所制备的多层涂层可以消除涂层间隙,连贯的结合为一整体,能显著提高涂层防护效果,材料在1300℃空气中氧化30h后的失重率可控制在1%以下.

关键词: C/SiC复合材料 , 涂层 , 氧化 , 缺陷

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