李昭宁
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王六定
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王小冬
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席彩萍
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沈中元
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赵景辉
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吴宏景
人工晶体学报
本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.
关键词:
化学掺杂
,
石墨纳米带
,
第一性原理
赵景辉
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王六定
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沈中元
,
吴宏景
材料开发与应用
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以Ni为催化剂,经600℃裂解C2H2在Si基底上制备出定向碳纳米管薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)表征了刻蚀后Ni颗粒与沉积的碳纳米管薄膜的形貌.研究了辅助气体对等离子体预处理催化剂与碳纳米管生长的影响.结果表明:辅助气体(H2与N2)流...
关键词:
碳纳米管
,
辅助气体
,
化学气相沉积
