吴渊文
,
张燕辉
,
陈志蓥
,
王彬
,
于广辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.04.008
采用化学气相沉积技术(CVD)在铜箔衬底上实现了石墨烯单晶畴的可控生长,并用两步生长法制备了不同单晶畴尺寸的多晶石墨烯连续膜.利用光学显微镜和拉曼光谱仪对石墨烯的形貌和结构进行了表征.通过对转移到Si02衬底上石墨烯连续膜的霍尔测试发现,石墨烯晶畴尺寸变化对其连续膜的电学性能影响显著.石墨烯连续膜的...
关键词:
石墨烯
,
单晶
,
化学气相沉积
,
拉曼
,
电学性质
