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三氯氢硅和氢气系统中多晶硅化学气相沉积的数值模拟

张攀 , 王伟文 , 董海红 , 吴玉雷 , 陈光辉 , 李建隆

人工晶体学报

本文建立了三氯氢硅和氢气系统中混合气体动量、热量和质量同时传递,并且耦合气相反应、表面反应的多晶硅气相沉积模型,利用流体力学计算软件(Computational Fluid Mechanics, CFD)Fluent6.2数值分析了气体进口速率、反应压力、表面温度和气体组成对硅化学气相沉积特性的影响,数值结果表明计算结果与相关实验数据吻合较好.分析表明在一定的条件下,硅沉积速率随温度、压力的升高而增加,在氢气浓度较高的情况下,硅沉积速率随氢气浓度增加而线性地降低.

关键词: 物质传递 , 化学气相沉积 , 数值模拟 , 多晶硅

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