翟蕊
,
杨光义
,
吴仁兵
,
陈建军
,
林晶
,
吴玲玲
,
潘颐
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2007.05.018
在1500℃、1600℃、1650℃和1750℃氩气中保温3 h,使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展,分别在熔层表面获得SiC颗粒层、SiC颗粒与晶须混合层、SiC晶须层和SiC腾空薄膜.XRD分析确定所有产物均为3C-SiC;TEM和SAED分析表明,SiC晶须为3C-SiC单晶,生长方向为[111].基于上述结果,提出不同温度下C与熔体中的Si经不同反应路径,生成不同形貌SiC的反应机理:低温时(≤1500℃),Fe提高了熔体中C的饱和溶解度,以液-固(LS)反应生成SiC颗粒;较高温度时(1500～1750 ℃),借助Fe的催化作用,以气-液-固(VLS)机理生成SiC晶须;更高温度时(≥1750℃),气-液-固(VLS)变得无序,生成SiC腾空连续膜.
关键词:
SiC晶须
,
液相法
,
VLS生长机理
林晶
,
陈建军
,
杨光义
,
吴仁兵
,
翟蕊
,
吴玲玲
,
潘颐
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2007.05.015
在1600℃不同真空度下,采用热蒸发硅的方法,在石墨基板和聚丙烯腈(PAN)炭纤维两种碳源基体原位生长具有一定取向的碳化硅纳米晶须--垂直于石墨片表面森林状和试管刷状碳化硅纳米晶须阵列.通过X射线衍射及场发射扫描电镜,发现晶须为3C-SiC,直径约100 nm,长度约50μm.炭纤维表面的产物顶端多为针尖状,而石墨片表面的产物多为六方棱柱状.因其纳米尺寸效应,在380nm波长的光激发下,所制晶须在波长为468 nm附近出现光致发光峰.透射电镜、多点衍射电子衍射图表明,所制得的3C-SiC晶须为单晶,其生长方向为3C-SiC的[111]方向.基于反应过程中硅熔体与碳源分离的事实,讨论了3C-SiC晶须阵列生长的气固反应机理.
关键词:
碳化硅
,
晶须
,
气固反应机理
黄怀国
,
陈景河
,
邹来昌
,
周剑章
,
吴玲玲
,
林仲华
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.01.021
采用电化学组装法(ECA)和溶胶-凝胶法(sol-gel)的联用技术在对胺基苯硫酚(PATP, ρ-aminothiophenol)/Au电极上制备ZnO/聚苯胺(PANI, polyaniline)复合膜, 并用TEM, SEM, XPS等对ZnO溶胶和ZnO/PANI复合膜进行表征. 同时还利用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱和光电流谱研究了ZnO胶体、ZnO微粒膜和ZnO/PANI复合膜的性能. 结果表明, ZnO/PANI复合膜具有优良的发光性能和光电化学转换效率, 可作为发光纳米材料和处理含有甲基橙的废水.
关键词:
电化学组装法
,
溶胶-凝胶法
,
ZnO/PANI复合膜
,
制备
,
性能表征
林娟
,
马骋
,
刘树滔
,
吴玲玲
,
饶平凡
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.01.014
应用高效离子交换色谱和激光光散射仪在线检测,快速分离定量不同致病力的青枯菌.青枯菌经过高效离子交换色谱分离得到3个特征峰,通过2,3,5-三苯基氯化四氮唑(TTC)平板鉴定和采用剪叶法回接番茄组培苗感染试验,发现这3个色谱峰所对应的青枯菌在致病力方面存在差异;其中峰3组分的致病力最强,峰1组分的致病力最弱.通过对青枯菌进样量与激光光散射仪的响应信号(峰面积)之间的线性关系研究,发现当青枯菌进样菌数为9×106～9×108时,菌数与色谱峰面积之间呈现出良好的线性关系,相关系数r=0.99.该项应用研究为不同致病力青枯菌的快速定量提供了一种新的分析方法.
关键词:
高效离子交换色谱
,
激光光散射仪
,
青枯菌
,
致病力
,
分离
,
定量
