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  • 论文(20)

磁控溅射Fe-N单层膜的研究

周剑平 , 李华飚 , 乔祎 , 张永平 , 顾有松 , 常香荣 , 赵春生 , 田中卓

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2000.03.007

本文研究了在不同温度的基片上进行磁控溅射,氮流量对Fe-N薄膜的磁性和结构的影响.实验表明,基片温度为200℃有助于提高Fe-N薄膜的软磁性能.基片为室温和100℃,氮流量在0~2sccm范围内变化时,未发现γ'-Fe4N和α″-Fe16N2,薄膜中只有N在α-Fe中的固溶体.基片温度200℃,氮流...

关键词: 饱和磁化强度 , 矫顽力 , 磁控溅射 , Fe-N膜

水热法制备NiFe2O4-BaTiO3复合材料及其电-磁性能

刘倩 , 吕丽 , 王燕 , 肖瑞娟 , 陈晓明 , 周剑平 , 刘鹏 , 宋永红

硅酸盐通报

本文利用水热法以铁酸镍和钛酸钡为原料,制备了具有尖晶石结构的铁酸镍( NiFe2 O4)和钙钛矿结构的钛酸钡( BaTiO3)复合材料,利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对样品的物相和形貌进行了分析.研究了复合样品的介电常数和磁导率随频率和温度的变化.结果表明:复合样品中的钛酸钡在烧结后由...

关键词: 水热法 , 磁导率 , 居里温度 , 介电常数

水热法制备ZnO及其光致发光

赵伟 , 朱刚强 , 周剑平 , 过阳阳 , 张正龙 , 边小兵 , 刘鹏 , 郑海荣

功能材料

以氯化锌做为原料,氢氧化钠为矿化剂,在温度180℃、反应15h的条件下,利用水热法制备ZnO粉体.通过X射线衍射、扫描电镜和光致发光谱表征其晶体结构、微观形貌和光学性能.表征结果表明,随着反应溶液pH值的增大,ZnO的微观结构逐渐由一维棒状变成三维花状.对三维花状ZnO的形成机理进行了讨论,研究了p...

关键词: ZnO , 水热法 , 微观结构 , 光致发光

磁控溅射Fe-N薄膜的结构和性能

周剑平 , 李华飚 , 乔祎 , 顾有松 , 李丹 , 常香荣 , 赵春生 , 田中卓

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.06.017

研究了氮流量对磁控溅射Fe-N薄膜的磁性和结构的影响.加氮薄膜的软磁性能明显优于纯铁的.当氮的流量为1.0mL·min-1时,矫顽力Hc达到最小值205A/m.当氮流量为0.8mL.min-1时,饱和磁化强度达到Ms=2.36T.在Fe-N薄膜中未发现γ′-Fe4N和α″-Fe16N2.

关键词: 磁控溅射 , Fe-N膜 , 饱和磁化强度 , 矫顽力

Fe-N软磁薄膜的性能及其磁场热处理后的各向异性模型

李洪明 , 周剑平 , 顾有松 , 常香荣 , 赵春生 , 徐秀英 , 田中卓

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2002.05.004

本文报道了采用RF磁控溅射制备出了高性能的Fe-N薄膜,膜厚约200nm,磁场热处理后薄膜中含有α′和少量γ′,具有优质的软磁性能,饱和磁化强度2.4T,高于纯铁的,矫顽力小于80A/m,2~10MHz下的磁导率为1500.然后提出一个模型,合理的解释了磁场热处理后薄膜表面的各向异性现象,包括不同方...

关键词: Fe-N薄膜 , 磁学性能 , 各向异性模型

水热法合成碲化铋粉体及其热稳定特性

杨佳 , 许文军 , 王兵兵 , 李彩霞 , 边小兵 , 周剑平 , 刘鹏

人工晶体学报

通过改变实验条件,在130 ~200℃、NaOH溶液浓度为2~8mol/L的较宽水热条件下合成出单相Bi2Te3粉体.利用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM),高分辨透射电镜(HRTEM),能谱色散仪(EDAX),热分析系统(TG-DTA)对产物的物相组成,形貌特征和晶体结构,热稳定性进行了研究...

关键词: 水热法 , Bi2Te3粉体 , NaOH溶液浓度 , 拓扑绝缘体材料

不同尺寸铁酸镍纳米晶体的水热合成

吕丽 , 边小兵 , 周剑平 , 朱刚强 , 刘鹏 , 陈险峙 , 刘倩

人工晶体学报

通过改变碱浓度和表面活性剂种类,采用水热法在0~7 mol/L NaOH的宽碱浓度下制备出纯相铁酸镍(NiFe2O4)纳米晶体.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、红外光谱和振动样品磁强计(VSM)对制备的粉体进行结构和磁性表征.结果表明:制备的...

关键词: 铁酸镍 , 水热法 , 形貌 , 磁性

二元高-k材料研究进展及制备

周剑平 , 柴春林 , 杨少延 , 刘志凯 , 张志成 , 陈诺夫 , 林兰英

功能材料

随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了有可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法:蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积.

关键词: 高-k材料 , 蒸发法 , CVD , IBD

离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

宋书林 , 陈诺夫 , 周剑平 , 尹志岗 , 李艳丽 , 杨少延 , 刘志凯

功能材料

室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明...

关键词: GaAs:Gd薄膜 , 低能离子束外延 , GaAs衬底

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