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郭海成 , 周玮 , 陈荣盛 , 赵淑云 , 张猛 , 王文 , 陈树明 , 周南云
液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132804.0471
提出了一种薄膜晶体管的新结构.这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点.通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制.通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善.
关键词: 搭桥晶粒 , 多晶硅 , 薄膜晶体管
