郭育林
,
倪敏璐
,
周嘉
,
竺士炀
,
黄宜平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.012
为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016 /cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况.研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到一定程度,表面将不会出现剥离的现象;在相同的注入能量情况下,Ga...
关键词:
GaAs
,
智能剥离
,
异质结构材料
,
氢离子注入
