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检索条件:作者=周小东  

  • 论文(4)

Mn掺杂SiC基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究

孙现科 , 周小东 , 周思华 , 王少辉 , 蒋卫华 , 孙春梅

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.07.009

目的:从原子水平探究Mn掺杂SiC薄膜的磁性起源。方法采用射频磁控溅射技术制备不同掺杂浓度的Mn掺杂SiC薄膜,并采用X射线衍射技术、X光电子能谱、同步辐射X射线近边吸收精细结构技术、物理性质测试系统对薄膜的结构、组分和磁性能进行研究。结果晶体结构和成分分析表明,1200℃退火后的薄膜形成了3 C-...

关键词: 磁控溅射 , SiC , Mn掺杂 , 铁磁性 , 缺陷

电弧离子镀制备TiSiN纳米复合涂层

田灿鑫 , 周小东 , 周思华 , 杨兵 , 付德君

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.08.003

目的:在SiH4气氛下制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,为SiH4用于工业化TiSiN涂层生产提供依据。方法采用电弧离子镀技术,在SiH4气氛下,于单晶硅和硬质合金衬底上制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层,研究SiH4流量对TiSiN涂层化学组分、微观结构、硬度和耐磨性能的影响。结果 SiH4...

关键词: 电弧离子镀 , TiSiN纳米复合涂层 , SiH4 流量 , 力学性能 , 硬度 , 摩擦系数

Ti+离子注入结合热退火法制备TiO2纳米薄膜研究

周小东

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.02.242

利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机将Ti+离子注入到高纯石英玻璃衬底中,离子注入的加速电压为20 kV,注入剂量为1.5×1017和3×1017 ions/cm2,将注入样品在氧气气氛下进行热退火处理,制备了TiO2纳米薄膜。采用光吸收谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和透...

关键词: 离子注入 , 热退火 , TiO2

热退火对离子注入制备Au纳米颗粒生长和光学性能的影响

周小东 , 周思华 , 孙现科

材料热处理学报

利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机,将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒,Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 kV,注入剂量为1×1017 ions/cm2,随后将注入样品在普通管式退火炉中700 ~ 1000℃退火处理.研究了注入条件和热退火参数对Au纳米颗...

关键词: 热退火 , 离子注入 , Au纳米颗粒 , 生长 , 光学性能