廖凌宏
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周志文
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李成
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陈松岩
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赖虹凯
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余金中
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王启明
材料科学与工程学报
由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-x Gex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-y Ge,(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性.
关键词:
低维无机非金属材料
,
量子阱
,
光致发光谱
,
弛豫缓冲层
周雅
,
周志文
,
刘佳慧
材料保护
为了改善硅溶胶膜层的开裂性，使用甲基三氧甲基硅烷和KH-5702种硅烷偶联剂对硅溶胶正硅酸乙酯进行改性。比较了2种偶联剂对硅溶胶膜层的影响，应用金相显微观察、傅立叶红外光谱（FT-IR）、扫描电镜观察等系统研究了偶联剂KH-570对硅溶胶及其膜层的改性效果。结果表明：2种硅烷偶联剂都可以明显减少膜层的裂纹，使其表面更加平整；在同样的用量下，偶联剂KH-570对减少涂层表面裂纹的效果更加明显；加入KH．570偶联剂的硅溶胶体系内由于生成了有机．无机杂化的网络结构而有效地减缓了膜层开裂性，提高了其耐蚀性能。
关键词:
硅溶胶正硅酸乙酯
,
改性
,
偶联剂
,
KH-570
,
开裂性
,
耐蚀性
,
有机．无机杂化
,
网络结构
