李建军
,
于军
,
李佳
,
王耘波
,
高俊雄
,
周文利
功能材料
研究了热分解气氛对溶胶-凝胶法制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的Bi3.25La0.75Ti3O12 (BLT)薄膜铁电性能的影响.在400℃时空气或氧气气氛下热分解20min,接着在700℃时氧气气氛下退火30min.氧气气氛下的热分解能充分分解掉薄膜中的有机成分,而空气气氛下的热分解使炭、氢有机成分部分残留在薄膜中.有机成分的不完全分解影响了退火过程中BLT薄膜晶化时晶粒的生长.表现出生长取向和晶粒尺寸对BLT薄膜铁电性能的影响.氧气和空气气氛下热分解的薄膜的剩余极化(Pr)和矫顽电场(Ec)分别为18.85μC/cm2,119.7kV/cm和12.56μC/cm2、112.5kV/cm.氧气气氛下热分解的薄膜的剩余极化值显著提高.所以热分解是控制铁电性能的重要步骤.
关键词:
BLT薄膜
,
溶胶-凝胶
,
热分解
李佳
,
于军
,
彭刚
,
王耘波
,
高俊雄
,
周文利
功能材料
用sol-gel法成功制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜,XRD结果表明制备的BNT薄膜具有(117)和(00l)的混合取向,FE-SEM显示薄膜表面光滑致密,颗粒均匀.剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为29.5μC/cm2和100kV/cm,经过109次循环后几乎无疲劳.
关键词:
sol-gel
,
Bi3.15Nd0.85Ti3O12
,
铁电薄膜
颜冲
,
于军
,
王耘波
,
周文利
,
高俊雄
,
周东祥
功能材料
把磁性元件和电子学元件结合起来的磁电子学器件,已开始出现实验室和商业化产品.本文介绍了磁电子学在计算机读出磁头、随机存取存储器、磁传感器、自旋晶体管和自旋阀晶体管中的应用,描述了它们的工作原理、性能特点及研究现状和发展趋势.
关键词:
巨磁电阻
,
读出磁头
,
随机存取存储器
,
传感器
,
自旋晶体管
王华
,
于军
,
王耘波
,
周文利
,
谢基凡
,
朱丽丽
功能材料
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜.所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm2和58kV/cm,+5V电压下漏电流密度低于10-7A/cm2.107次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性.
关键词:
PZT
,
铁电薄膜
,
PLD
,
制备工艺
李佳
,
于军
,
彭刚
,
王耘波
,
周文利
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01192
用sol-gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上和加入了TiO2种子层的Bi 3.15 Nd 0.85 Ti 3 O 12 (BNT)铁电薄膜, 研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响. XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)和(001)的混合取向, 而加入TiO2种子层之后薄膜的最强峰为(200)取向; FE-SEM显示具有TiO2种子层的BNT薄膜, 其表面主要是由具有非c轴取向的晶粒组成且更为致密; 直接沉积的BNT薄膜和具有TiO2种子层的BNT薄膜的剩余极化Pr值分别为26和43.6μC/cm2, 矫顽场强Ec分别为91和80.5kV/cm; 疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性, TiO2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性; 两种薄膜的漏电流密度均在10-6～10-5 A/cm2之间.
关键词:
sol-gel
,
Bi 3.15 Nd 0.85 Ti 3 O 12
,
ferroelectric thin film
,
TiO2 seeding layer
颜冲
,
于军
,
王耘波
,
周文利
,
高俊雄
,
周东祥
材料导报
用巨磁电阻(GMR)材料构成的磁电子学新器件,已开始在计算机存储领域成功地获得了应用.介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储存储器,描述了它们的工作原理、性能特点及研究现状和发展趋势.
关键词:
巨磁电阻
,
读出磁头
,
存储密度
,
随机存储存储器
,
非易失性
李佳
,
于军
,
彭刚
,
王耘波
,
周文利
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.036
用sol-gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上和加入了TiO2种子层的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜,研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响.XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)和(001)的混合取向,而加入TiO2种子层之后薄膜的最强峰为(200)取向;FE-SEM显示具有TiO2种子层的BNT薄膜,其表面主要是由具有非c轴取向的晶粒组成且更为致密;直接沉积的BNT薄膜和具有TiO2种子层的BNT薄膜的剩余极化Pr值分别为26和43.6μC/cm2,矫顽场强Ec分别为91和80.5kV/cm;疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性,TiO2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性;两种薄膜的漏电流密度均在10-6～10-5 A/cm2之间.
关键词:
sol-gel
,
Bi3.15Nd0.85Ti3O12
,
铁电薄膜
,
TiO2种子层
